Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия

Селезнев Б.И.¹, Москалев Г.Я.², Федоров Д.Г.^2,1

¹Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

²АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия OAO OKB-Planeta, Veliky Novgorod, Russia

Email: Boris.Seleznev@novsu.ru.

Поступила в редакцию: 16 ноября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ условий формирования ионно-легированных слоев на нитриде галлия при внедрении ионов кремния с применением фотонного отжига и защитных диэлектрических покрытий диоксида и нитрида кремния. Установлены режимы формирования ионно-легированных слоев с высокой степенью активации примеси. Исследованы температурные зависимости поверхностной концентрации носителей и подвижности в ионно-легированных слоях GaN для различных температур отжига.

М. Гольцова. Электроника. Наука, технология, бизнес, 4, 86 (2012)
А. Васильев, В. Данилин, Т. Жукова. Электроника НТБ, 4, 20 (2007)
J.K. Sheu, C.J. Tun, M.S. Tsai, C.C. Lee, G.C. Chi, S.J. Chang, J.K. Su. J. Appl. Phys., 91 (4), 1845 (2002)
J.A. Fellows, Y.K. Yeo, Mee-YI Ryu, R.L. Hengehold. J. Electron. Mater., 34 (8), 1157 (2005)
П.А. Карасев, А.Ю. Азаров, А.И. Титов, С.О. Кучеев. ФТП, 43 (6), 721 (2009)
Д.Г. Федоров, Г.Я. Москалев. Вестн. Новгород. гос. ун-та, 1 (75), 132 (2013)
B. Boratynski, W. Macherzynski, A. Drozdziel, K. Pyszniak. J. Electrical Engin., 60 (5), 273 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель