Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 7 » Статья стр. 952
<<<>>>
Оптические свойства p-i-n-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов
Кривякин Г.К.1, Володин В.А. 1,2, Кочубей С.А.1, Камаев Г.Н.1, Purkrt A.3, Remes Z.3, Fajgar R.4, Stuchlikova T.H.3, Stuchlik J.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Institute of Physics ASCR, 162 00 Praha 6, Czech Republic
4Institute of Chemical Process Fundamentals of the ASCR, 165 02 Praha 6, Czech Republic
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
C применением импульсных лазерных отжигов в i-слоях p-i-n-структур на основе a-Si : H были сформированы нанокристаллы Si. Для импульсных воздействий применялся эксимерный лазер XeCl с длиной волны 308 нм, с длительностью импульса 15 нс. Плотность энергии лазерного излучения изменялась в пределах от 100 мДж/см2 (ниже порога плавления) до 250 мДж/см2 (выше порога плавления). Оценка размеров нанокристаллов проводилась из анализа спектров комбинационного рассеяния света с использованием модели локализации фононов, средний размер составил от 2.5 до 3.5 нм в зависимости от параметров лазерных воздействий. Созданные p-i-n-структуры обладали диодными ВАХ. Обнаружен сигнал электролюминесценции в ИК-диапазоне от p-i-n-структур с нанокристаллами Si, положение пика (0.9-1 эВ) варьировалось с параметрами лазерных воздействий. Излучательные переходы связаны, предположительно, с состояниями на границе нанокристалл/аморфная матрица. Предложенный подход может быть использован для создания светоизлучающих диодов на нетугоплавких подложках.
  1. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, Z. Remes, J. Stuchlik. Phys. Status Solidi C, 10, 1712 (2013)
  2. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik, Z. Remes. JJAP Conf. Proc., 3, 011104 (2015)
  3. A.V. Emelyanov, A.G. Kazanskii, P.A. Forsh, D.M. Zhigunov, M.V. Khenkin, N.N. Petrova, A.V. Kukin, E.I. Terukov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 10, 649 (2015)
  4. C.R. Wronski, J.M. Pearce, J. Deng, V. Vlahos, R.W. Collins, Thin Sol. Films, 451-- 452, 470 (2004)
  5. А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, П.А. Форш, J.P. Kleider. ФТП, 44, 513 (2010)
  6. M. van Sebille, R.A. Vasudevan, R.J. Lancee, R.A.C.M.M. van Swaaij, M. Zeman. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 325302 (2015)
  7. А.В. Емельянов, Е.А. Константинова, П.А. Форш, А.Г. Казанский, М.В. Хенкин, Н.Н. Петрова, Е.И. Теруков, Д.А. Кириленко, Н.А. Берт, С.Г. Конников, П.К. Кашкаров. Письма ЖЭТФ, 97, 536 (2013)
  8. А.В. Двуреченский, В.А. Володин, Г.К. Кривякин, А.А. Шкляев, С.А. Кочубей, И.Г. Неизвестный, J. Stuchlik. (Будет опубликована в 2016 г.)
  9. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.З. Казак-Казакевич, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 38, 226 (2004)
  10. В.А. Володин, А.С. Качко. ФТП, 45,268 (2011)
  11. А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.К. Кашкаров, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, П.А. Форш, М.В. Хенкин, А.В. Кукин, M. Beresna, P. Kazansky. ФТП, 46, 769 (2012)
  12. T. Sameshima, M. Hara, N. Sano, S. Usui. J. Appl. Phys., 29, L1363 (1990)
  13. T. Sameshima, S. Usui. J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991)
  14. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 273 (1996)
  15. М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
  16. Р.В. Кузьмин, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко. ФТП, 49, 1258 (2015)
  17. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50, 241 (2016)
  18. Н.А. Соболев, К.Ф. Штельмах, А.Е. Калядин, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, D. Yang. ФТП, 50, 254 (2016)
  19. А.Е. Калядин, Н.А. Соболев, А.М. Стрельчук, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек. ФТП, 50,250 (2016)
  20. V.A. Volodin, D.I. Koshelev. J. Raman Spectroscopy, 44, 1760 (2013)
  21. И.Г. Неизвестный, М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, А.В. Вишняков, С.А. Аржанникова. Поверхность, 9, 95 (2007)
  22. R. Tsu, J.G.-Hernandes, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
  23. V. Pailard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
  24. В.А. Володин, В.А. Сачков. ЖЭТФ, 143, 100 (2013)
  25. K.O. Bugaev, A.A. Zelenina, V.A. Volodin. Int. J. Spectroscopy, 2012, 281851 (2012)
  26. R.A. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
  27. Дж. Джоунопулос, Дж. Люковски. Физика гидрогенизированного кремния. В 2-х кн.; Кн. 1 (М., Мир, 1987) с. 193
  28. Kai-Yuan Cheng, Rebecca Anthony, Uwe R. Kortshagen, Russell J. Holmes. Nano Lett., 11, 1952 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme