Вышедшие номера
Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом
РФФИ, 15-02-08282 А
РФФИ, 14-02-31485
Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-4716.2015.1
ANR, 14-CE26-0020-01 “PLATOFIL”
French national Labex GaNex , ANR-11-LABX-2014
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1 , 1.3.3.3
Бабичев А.В. 1,2,3, Zhang H.4, Guan N.4, Егоров А.Ю.1, Julien F.H.4, Messanvi A.4,5,6, Durand C.5,6, Eymery J.5,6, Tchernycheva M.4
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Institut d'Electronique Fondamentale, UMR CNRS, University Paris Saclay, Orsay Cedex, France
5University Grenoble Alpes, Grenoble, France
6CEA, INAC-SP2M, Nanophysique et Semiconducteurs" Group, Grenoble, France
Email: A.Babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

В работе представлены результаты по формированию и характеризации оптических свойств p-n-фотодетекторов ультрафиолетовой области спектра на основе одиночных нитевидных кристаллов (вискеров) с новым контактом на основе CVD-графена. Активная область нитридных вискеров содержит набор из 30 радиальных квантовых ям состава In0.18Ga0.82N. Структура выращена методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Формирование фотодетекторов осуществлялось с помощью электронной литографии с интерферометрическим столом. Вольт-амперные характеристики представляют собой выпрямляющий тип зависимости. Спектральная чувствительность фотодетектора отчетливо регистрируется начиная с 3 эВ. Максимальный фотоотклик соответствует длине волны 367 нм (чувствительность составляет 1.9 мA/Вт). Отклик фотодетектора наблюдается на временах <0.1 с.