Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS₄ в переменном электрическом поле

Мамедов Ф.М.¹, Нифтиев Н.Н.²

¹Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Email: namiq7@bk.ru

Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

PDF версия

Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS₄ на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS₄ в области частот 10⁴-10⁶ Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте (tgdelta~1/omega) и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS₄ рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.

G. Medvedkin, Yu. Rud, M. Tairov. Phys. Status Solidi A, 111, 289 (1989)
Q. Lu, K. Hu, K. Tank, Y. Qian, G. Zhou, X. Liu. Chem. Lett., 28, 481 (1999)
A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Haeuseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Письма ЖТФ, 10, 49 (2003)
N.N. Niftiyev, O.B. Taqiev. Inorganic mater., 39, 576 (2003)
R. Sharma, A. Rastogi, S. Kohli, T. Kang, G. Singh. Physica B, 351, 45 (2004)
C. Xiangying, Z. Zhongjie, Z. Xingta et al. J. Cryst. Growth, 277, 524 (2005)
N. Tsuboi, K. Ogihara, Y. Suda, K. Oishi, S. Kobayashi, F. Kaneko. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 725 (2005)
S. Lei, K. Tang, Z. Fang, Y. Qi, H. Zheng. Mater. Res. Bull., 41, 2325 (2006)
T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter., 384, 100 (2006)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1553 (2009)
И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 941 (2011)
И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, С.В. Труханов, Ю.А. Федотова. ФТП, 46, 624 (2012)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Опт. и спектр., 112, 96 (2012)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ЖТФ, 82, 153 (2012)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 48, 1469 (2014)
Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 43, 1447 (2009)
C. Batistony, L. Gastaldi, G. Mattogno, M. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, 43 (1987)
Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (М., Высш. шк., 1980)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель