Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS4 в переменном электрическом поле
1Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: namiq7@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS4 на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS4 в области частот 104-106 Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте (tgdelta~1/omega) и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS4 рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.
- G. Medvedkin, Yu. Rud, M. Tairov. Phys. Status Solidi A, 111, 289 (1989)
- Q. Lu, K. Hu, K. Tank, Y. Qian, G. Zhou, X. Liu. Chem. Lett., 28, 481 (1999)
- A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Haeuseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Письма ЖТФ, 10, 49 (2003)
- N.N. Niftiyev, O.B. Taqiev. Inorganic mater., 39, 576 (2003)
- R. Sharma, A. Rastogi, S. Kohli, T. Kang, G. Singh. Physica B, 351, 45 (2004)
- C. Xiangying, Z. Zhongjie, Z. Xingta et al. J. Cryst. Growth, 277, 524 (2005)
- N. Tsuboi, K. Ogihara, Y. Suda, K. Oishi, S. Kobayashi, F. Kaneko. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 725 (2005)
- S. Lei, K. Tang, Z. Fang, Y. Qi, H. Zheng. Mater. Res. Bull., 41, 2325 (2006)
- T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter., 384, 100 (2006)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
- И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1553 (2009)
- И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 941 (2011)
- И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, С.В. Труханов, Ю.А. Федотова. ФТП, 46, 624 (2012)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Опт. и спектр., 112, 96 (2012)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ЖТФ, 82, 153 (2012)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 48, 1469 (2014)
- Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 43, 1447 (2009)
- C. Batistony, L. Gastaldi, G. Mattogno, M. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, 43 (1987)
- Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (М., Высш. шк., 1980)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
- П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
