Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Изучены свойства МДП-структур на основе n-GaAs, в которых в качестве диэлектрика использованы оксид кремния и стабилизированные оксидом иттрия диоксид циркония и диоксид гафния, и которые содержали квантовые точки InAs, встроенные на границе раздела диэлектрик/n-GaAs. Структуры проявляли резистивное переключение и синаптическое поведение
- J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev., 2, 031 303 (2015)
- A. Adamatzky, L. Chua. Memristor Networks. Ed. (Springer International Publishing Switzerland, 2014)
- W. Cai, R. Tetzlaff. In: Memristor Networks., eds A. AdamatzKy, L. Chua Springer International Publishing Switzerland, 2014) P. 113
- A. Bogusz, D. Blaschke, B. Abendroth, I. Skorupa, D. Burger, O.G. Schmidt, H. Schmidt. 80. Jahrestagung der DPG und DPG-Fruhjahrstagung. Regensburg, 6.--11. Marz 2016 (A. Bogusz et al., AIP Advances 4 (2014), A. Bogusz et al., Adv. Mater. Res. 1101 (2015).)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина. Письма в ЖТФ, 40 (19), 18 (2014)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма ЖТФ, 42 (10), 78 (2016)
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
- С.В. Тихов. ФТП, 46 (10), 1297 (2012)
- Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
- Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31 (9) 1100 (1997)
- С.В. Тихов. ФТП, 29 (4), 742 (1995)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
- S. Kundu, N.N. Halder, D. Biswas, P. Banerji, T. Shripathi, S. Chakraborty. J. Appl. Phys., 112, 034514-1 (2012)
- J. Robertson, Y. Guo, L. Lin. J. Appl. Phys., 117, 112 806 (2015)
- D. Kuzum, S. Yu, H. Wong. Nanotechnology, 24, 382 001 (2013)
- A. Thomas. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 093 001 (2013)
- A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov. Mater. Sci. Eng. B, 194, 48 (2015)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука: Сиб. отд-ние, 1984)
- Т.И. Данилина. Технология тонкопленочных микросхем (Томск, ТУСУР 2006)
- B.A. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2010)
- G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука: Ленингр. отд., 1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
