Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Показано, что формирование наночастиц Au на границе раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствительности конденсаторной фотоэдс при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссией электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Au.
- О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.О. Филатов, М.Е. Шенина, А.П. Касаткин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров. Письма в ЖТФ, 42 (1), 72 (2016)
- S.K. Ray, S. Maikap, W. Banerjee, S. Das. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 153 001-1 (2013)
- M. Uenuma, K. Kawano, B. Zheng, N. Okamoto, M. Horita, S. Yoshii, I. Yamashita, Y. Uraoka. Nanotechnology, 22, 215 201 (2011)
- W. Guan, S. Long, R. Jia, M. Liua. Appl. Phys. Lett., 91, 062 111 (2007)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина. Письма ЖТФ, 40 (19), 18 (2014)
- A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov. Mater. Sci. Eng. B, 194, 48 (2015)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина. Письма в ЖТФ, 40 (9), 9 (2014)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука: Cиб. отд-ние, 1984)
- С.В. Тихов. ФТП, 29 (4), 742 (1995)
- И.А. Карпович, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетеронаноструктур (Нижний Новгород, Изд-во Нижегородского ГУ, 2010)
- В.А. Зуев, А.В. Саченко, И.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. pадио, 1977)
- C.B. Тихов, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, И.Н. Антонов, М.Н. Коряжкина. Тез. докл. XIX Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2015) т. 2, с. 665
- В.А. Киселев. ФТТ, 31 (12), 142 (1989)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука: Ленингр. отд-ние, 1981)
- G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
- C.З. Зейнабидинов, О.О. Маматкаримова, И.Г. Турсунов, У.А. Туйчиев. ФТП, 34 (6), 641 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
