Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур Cd_xHg_1-xTe для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом C-V-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды p⁺-n-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1-5)·10¹⁵ см^-3. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у n⁺-p-диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.