Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 12 » Статья стр. 1679
<<<>>>
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43899.45
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ) , мол_а_дк, 16-32-60172
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ) , а, 16-02-00685
Министерство образования и науки РФ, грант Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых -- кандидатов наук, МК-6923.2016.2
Румянцев В.В.1,2, Фадеев М.А.1,2, Морозов С.В.1,2, Дубинов А.А.1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Кадыков А.М.1,3, Тузов И.В.2, Дворецкий С.А.4, Михайлов Н.Н.4,5, Гавриленко В.И.1,2, Teppe F.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Universite Montpellier II, Montpellier, France
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
PDF версия
Проведены исследования межзонной фотопроводимости и фотолюминесценции в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, дизайн которых предназначен для получения длинноволнового стимулированного излучения в условиях оптической накачки. В структурах n-типа времена релаксации фотопроводимости достигают нескольких микросекунд, что позволяет наблюдать стимулированное излучение на длине волны 10.2 мкм с низкой пороговой интенсивностью накачки ~100 Вт/см2 при 20 K. В структурах p-типа, полученных отжигом для увеличения концентрации вакансий ртути, из-за резкого уменьшения времени жизни относительно безызлучательной рекомбинации Шокли-Рида-Холла не удается наблюдать даже спонтанное излучение из квантовых ям.
  1. M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P. De Natale. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
  2. M. Bahriz, G. Lollia, A.N. Baranov, R. Teissier. Opt. Express, 23 (2), 1523 (2015)
  3. Q.Y. Lu, S. Slivken, N. Bandyopadhyay, Y. Bai, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 105 (20), 201 102 (2014)
  4. B.S. Williams. Nat. Photon., 1 (9), 517 (2007)
  5. R. Colombelli, F. Capasso, C. Gmachl, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, A. Tredicucci, M.C. Wanke, A.M. Sergent, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 78 (18), 2620 (2001)
  6. K. Ohtani, M. Beck. J. Faist. Appl. Phys. Lett. 105 (12), 121 115 (2014)
  7. J. Ulrich, J. Kreuter, W. Schrenk, G. Strasser, K. Unterrainer. Appl. Phys. Lett., 80 (20), 3691 (2002)
  8. K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, L.S. Bovkun, K.R. Umbetalieva, E.G. Chizhevskiy, I.I. Zasavitskiy, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 49 (12), 1623 (2015)
  9. L.N. Kurbatov, A.D. Britov, S.M. Karavaev, S.D. Sivachenko, S.N. Maksimovskii, I.I. Ovchinnikov, M.M. Rzaev, P.M. Starik. JETP Lett., 37 (9), 499 (1983)
  10. V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Y.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE, 5136, 381 (2003)
  11. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  12. S.V. Morozov, M.S. Joludev, A.V. Antonov, V.V. Rumyantsev, V.I. Gavrilenko, V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskiy, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm. Semiconductors, 46 (11), 1362 (2012)
  13. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105 (2), 022 102 (2014)
  14. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072 102 (2014)
  15. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 107 (4), 042 105 (2015)
  16. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, V.I. Gavrilenko. J. Phys.: Conf. Ser., 647, 012 008 (2015)
  17. V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, S.V. Morozov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semiconductors, 47 (11), 1438 (2013)
  18. V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28 (12), 125 007 (2013)
  19. D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
  20. A.A. Andronov, Y.N. Nozdrin, A.V. Okomel'kov, A.A. Babenko, V.S. Varavin, D.G. Ikusov, R.N. Smirnov. Semiconductors, 42 (2), 179 (2008)
  21. A.A. Andronov, Y.N. Nozdrin, A.V. Okomel'kov, V.S. Varavin, R.N. Smirnov, D.G. Ikusov. Semiconductors, 40 (11), 1266 (2006)
  22. J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea P. Jean-Louis. J. Cryst. Growth, 197 (3), 529 (1999)
  23. J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. J. Appl. Phys., 78 (12), 6908 (1995)
  24. C. Roux, E. Hadji J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 75 (12), 1661 (1999)
  25. J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca. J. Singh. Semicond. Sci. Technol., 8 (1S), S255 (1993)
  26. J. Dimmock, I. Melngailis, A. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16 (26), 1193 (1966)
  27. И.И. Засавицкий. Тр. ФИАН. Оптические и электрические свойства полупроводников, 224, 3 (1993)
  28. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
  29. Y. Jiang, M.C. Teich, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69 (10), 6869 (1991)
  30. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 108 (9), 092 104 (2016)
  31. I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, A.V. Voitsekhovskii, E. Sheregii. J. Appl. Phys., 115 (16), 163 501 (2014)
  32. В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров Ю.Г. Сидоров. ЖФХ, 84 (9), 1605 (2010)
  33. Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, F. Teppe. ФТП, 49 (12), 1654 (2015)
  34. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, K.D. Mynbaev. Opto-Electron. Rev., 20 (4), 375 (2012)
  35. V. Ryzhii, M. Ryzhii, T. Otsuji. J. Appl. Phys., 101 (8), 083 114 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme