Вышедшие номера
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Проведен анализ переноса электронов через тонкую базу гетеробиполярного транзистора на основе GaAs с учетом флуктуаций пространственного распределения кластеров радиационных дефектов при облучении потоком мгновенных нейтронов спектра деления. Теоретически показано, что однородное заполнение кластерами радиационных дефектов рабочей области приводит к минимальной деградации коэффициента усиления гетеробиполярного транзистора по постоянному току.