Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43986.8313

Шуман В.Б.¹, Лаврентьев А.А.¹, Астров Ю.А.¹, Лодыгин А.Н.¹, Порцель Л.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Shuman@mail.ioffe.ru, Yuri.Astrov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600-800 ^oC. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5·10¹⁴ и 2· 10¹⁵ см^-2. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния D_i при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p-n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость D_i(T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8313

N. Sclar. Prog. Quant. Electron., 8, 149 (1984)
H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Int. J. Terahertz Sci. Technol., 7, 172 (2014)
V.N. Shastin, V.V. Tsyplenkov, R.Kh. Zhukavin, K.А. Kovalevskii, Yu.А. Аstrov, H.-W. Hubers, S.G. Pavlov. Proc. XVIII Symp. "Nanophysics \& Nanoelectronics" (Nizhny Novgorod, 2014) p. 678
N.V. Abrosimov, N. Notzel, H. Riemann, K. Irmscher, S.G. Pavlov, H.-W. Hulbers, U. Bottger, P.M. Haas, N. Drichko, M. Dressel. Sol. St. Phenomena, 131-133, 589 (2008)
E. Ohta, M. Sakata. Solid-State Electron., 22, 677 (1979)
H. Sigmund. J. Electrochem. Soc., 129, 2809 (1982)
R.K. Franks, J.B. Robertson. Sol. St. Commun., 5, 479 (1967)
L.T. Ho, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
A. Thilderkvist, M. Kleverman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 49, 16338 (1994)
H. Sigmund, D. Weib. In: Ion Implantation: Equipment and Techniques [Springer Series in Electrophysics, 11), (1983)] p. 473
В.М. Арутюнян, А.П. Акоян, З.Н. Адамян, Р.С. Барсегян. ЖТФ, 71, 67 (2001)
Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1
K.S. Jones, S. Prussin, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 45, 1 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель