Вышедшие номера
Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Криштопенко С.С.1,2, Иконников А.В.1,3, Маремьянин К.В.1,3, Бовкун Л.С.1, Спирин К.Е.1, Кадыков А.М.1,2, Marcinkiewicz M.2, Ruffenach S.2, Consejo C.2, Teppe F.2, Knap W.2, Семягин Б.Р.4, Путято М.А.4, Емельянов Е.А.4, Преображенский В.В.4, Гавриленко В.И.1,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS, Universite Montpellier, Montpellier, France
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: antikon@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8244