Влияние "объема" активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
Некоркин С.М.1, Звонков Б.Н.1, Байдусь Н.В.1, Дикарева Н.В.1, Вихрова О.В.1, Афоненко А.А.2, Ушаков Д.В.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: dnat@ro.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6-8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8258
- С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. Вестн. ННГУ, 1 (1), 30 (2012)
- А.А. Бирюков, С.М. Некоркин, М.Н. Колесников, Т.С. Бабушкина, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. ЖТФ, 81 (7), 149 (2011)
- С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. Квант. электрон., 42 (10), 931 (2012)
- Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 39 (10), 1252 (2005)
- А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков. ФТП, 48 (1), 88 (2014)
- A.R. Adams, D.J. Dunstan, E.P. O'Reilly. Physica Scripta T, 39, 196 (1991)
- С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, Б.Н. Звонков, В.Я. Алешкин. Письма ЖТФ, 40 (10), 52 (2014)
- Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, В.Я. Алешкин. Квант. электрон., 43 (11), 999 (2013).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.