Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44006.8325

Вороненков В.В.¹, Вирко М.В.², Коготков В.С.², Леонидов А.А.², Пинчук А.В.², Зубрилов А.С.¹, Горбунов Р.И.¹, Латышев Ф.Е.¹, Бочкарева Н.И.¹, Леликов Ю.С.¹, Тархин Д.В.¹, Смирнов А.Н.¹, Давыдов В.Ю.¹, Шеремет И.А.³, Шретер Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия

Email: maximum117@ya.ru, vkogotkov@mail.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сильное поглощение излучения СО₂-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6±0.5 Дж/см². Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100 А/см² при напряжении 2 B и максимальным обратным напряжением 150 В изготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9 мкм. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8325

М.В. Вирко, В.С. Коготков, А.А. Леонидов, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, А.С. Зубрилов, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Н.И. Бочкарева, Ю.С. Леликов, Д.В. Тархин, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 50 (5), 711 (2016)
H. Goto, S.W. Lee, H.J. Lee, H.-J. Lee, J.S. Ha, M.W. Cho, T. Yao. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1659 (2008)
X.A. Cao, S.D. Arthur. Appl. Phys. Lett., 85 (12), 3971 (2004)
M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi A, 159 (1), R3 (1997)
W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 72 (5), 599 (1998)
M.E. Whitson. Handbook of the infrared optical properties of Al₂O₃, carbon, MgO and ZrO₂ (California, Aerospace Corporation, 1975) v. 1, chap. I-1, p. I
P.R. Tavernier, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 89 (3), 1527 (2001)
V. Voronenkov, R. Gorbunov, A. Tsyuk, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Zubrilov, N. Bochkareva, Y. Shreter. ECS Trans., 35 (6), 91 (2011)
X.J. Su, K. Xu, Y. Xu, G.Q. Ren, J.C. Zhang, J.F. Wang, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 205103 (2013)
V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82 (10), 5097 (1997)
V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58 (19), 12899 (1998)
N. Przhevalskii, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 30 (1998)
N. Tanaka, K. Hasegawa, K. Yasunishi, N. Murakami, T. Oka. Appl. Phys. Express, 8, 071001 (2015)
M. Ueno, S. Yoshimoto, K. Ishihara, M. Okada, K. Sumiyoshi, H. Hirano, F. Mitsuhashi, Y. Yoshizumi, T. Ishizuka, M. Kiyama. Proc. 26th IEEE ISPSD Conf. (Waikoloa, USA, 2014) p. 309
Yu.G. Shreter, Yu.T. Rebane, A.V. Mironov. US Patent Application N 20140206178, 2014.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель