Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45013.8498

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-02-02189

Иванов А.И.¹, Небогатикова Н.А. ¹, Куркина И.И. ², Антонова И.В. ^1,3,4

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск, Россия North-Eastern Federal University, Yakutsk, Russia

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁴Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

Email: aiivanov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок (N-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, ~10-20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля-Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии ~ CF_0.25. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45013.8498

Y. Gao, W. Shi, W. Wang, Y. Leng, Y. Zhao. Ind. Eng. Chem. Res., 53, 16777 (2014)
M. Magliulo, M.Y. Mulla, M. Singh, E. Macchia, A. Tiwari, L. Torsi, K. Manoli. J. Mater. Chem. C, 3, 12347 (2015).
L. Huang, Y. Huang, J. Liang, X. Wan, Y. Chen. Nano Res., 4, 675 (2011)
Z. Jing, Z. Guang-Yu, S. Dong-Xia. Chin. Phys. B, 22, 057701 (2013)
C.C. Lin , H.Y. Wu, N.C. Lin, C.H. Lin. Jpn. J. App. Phys., 53, 05FD03 (2014)
H.Y. Jeong, J.Y. Kim, J.W. Kim, J.O. Hwang, J.E. Kim, J.Y. Lee, T.H. Yoon, B.J. Cho, S.O. Kim, R.S. Ruoff., S.Y. Choi. Nano Lett., 10, 4381 (2010)
B. Standley, A. Mendez, E. Schmidgall, M. Bockrath. Nano Lett., 12, 1165 (2012)
N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Physica E., 52, 106 (2013)
N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.A. Volodin, D.A. Zatsepin, E.Z. Kurmaev, I.S. Zhidkov, S.O. Cholakh. Nanotechnol. Russ., 9, 51 (2014)
I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФTП, 50, 1086 (2016)
П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.С. Фефелов, А.С. Комолов, А.Н. Алешин. ФTT, 58, 2476 (2016)
П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.Н. Алешин, А.С. Комолов, И.П. Щербаков, В.Н. Петров, И.Н. Трапезникова. ФTT, 57, 1639 (2015)
N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, V.I. Vdovin, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, E.R. Zakirova, V.G. Keslera. Phys. Chem. Chem. Phys., 17, 13257 (2015)
J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechol., 8, 13 (2013)
I.I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
M. Chaumontet, R. Piccardi, N. Audic, J. Hitce, J.L. Peglion, E. Clot, O. Baudoin. J. Am. Chem. Soc., 130, 15157 (2008)
A.J. Mcquillan, C.G. Pope. Chem. Phys. Lett., 71, 349 (1980)
S. Ding, N. Jiao. Angew. Chem. Int. Ed., 51, 9226 (2012)
Я.И. Френкель. Собр. избр. тр. T. 2. Научные статьи (М., Наука, 1958) гл. 13, с. 217
R.M. Hill. Phil. Mag., 24, 1307 (1971)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ, 1997) гл. 10, с. 200
В. Малиненко, О. Сергеева. Зонный и прыжковый механизмы переноса в неупорядоченных оксидах металлов: Метод. указания к лаб. pаботе (Петрозаводск, ПетрГУ, 2002)
П.А. Райкерус, В.А. Лалеко. Физические основы пленочной электроники: Учеб. пособие (Петрозаводск, ПетрГУ, 1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель