Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO2 в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge+ и температуры отжига под давлением 12 кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO2 под давлением 12 кбар: D=1.1·10-10exp(-1.43/kT). Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO2. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45023.8564
- S.-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
- B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
- T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
- L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
- F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
- C. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. Mater. Sci. Eng., 69- 70, 380 (2000)
- С. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 76, 3962 (2000)
- J. von Borany, R. Grotzschel, K.H. Heinig, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, M. Voelskow, W. Skorupa. Semiconductors, 37, 479 (2004)
- I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Solid State Commun., 247, 53 (2016)
- M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
- G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
- M. Werner, H. Mehrer, H.D. Hochheimer. Phys. Rev. B, 32, 3930 (1985)
- M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 70, 2810 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
