Вышедшие номера
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением
Тысченко И.Е.1, Черков А.Г.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO2 в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge+ и температуры отжига под давлением 12 кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO2 под давлением 12 кбар: D=1.1·10-10exp(-1.43/kT). Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO2. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45023.8564