Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
Акимов А.Н.
1, Климов А.Э.1,2, Пащин Н.С.1, Ярошевич А.С.1, Савченко М.Л.1, Эпов В.С.1, Федосенко Е.В.
1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: klimov@isp.nsc.ru, fedos@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Исследованы пленки PbSnTe:In с длинноволновой границей чувствительности свыше 20 мкм и низкой проводимостью без освещения. Проведено сравнение спектральных зависимостей фотопроводимости, полученных при различных температурах с использованием фурье-спектрометра, с составом пленок, определенным методом рентгеновского микроанализа. Обнаружена немонотонная зависимость длинноволнового края фоточувствительности от температуры, которая объясняется комбинацией температурной зависимости ширины запрещенной зоны PbSnTe и эффекта Бурштейна-Мосса, дающего наибольший вклад в измерения при низких температурах из-за большого времени жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что различия в значениях ширины запрещенной зоны, определяемых из измеренного состава и температурных зависимостей длинноволнового края чувствительности, могут быть связаны с неоднородностью состава пленок, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45114.29
- J.O. Dimmock, I. Melngailis, A.J. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16, 1193 (1966)
- W.W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., QE- 13, 532 (1977)
- А.Э. Климов, В.Н. Шумский. В кн.: Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск, Наука, 2001) гл. 6, с. 308
- Б.А. Акимов, Л.И. Рябова, О.Б. Яценко, С.М. Чудинов. ФТП, 13, 752 (1979)
- S. Takaoka, T. Itoga, K. Murase. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 216 (1984)
- А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, И.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский. Микроэлектроника, 42, 83 (2013)
- А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, И.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев. ФТП, 50, 1713 (2016)
- Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
- A.E. Klimov, D.V. Krivopalov, I.G. Neizvestnyi, V.N. Shumsky, N.I. Petikov, M.A. Torlin, E.V. Fedosenko. Appl. Surf. Sci., 78, 413 (1994)
- M.A. Rafea, F.S. Terra, M. Mounir, R. Labusch. Chalc. Lett., 6, 115 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
