Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов

DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45170.33

Байдакова Н.А.¹, Вербус В.А.^1,2, Морозова Е.Е.¹, Новиков А.В.^1,3, Скороходов Е.В.¹, Шалеев М.В.¹, Юрасов Д.В.¹, Hombe A.⁴, Kurokawa Y.⁴, Usami N.⁴

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²НИУ "Высшая школа экономики", Нижний Новгород, Россия
³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Nagoya University, Furocho, Chikusa-ku, 46 Nagoya, Japan

Email: anov@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 17 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В работе для растворов КОН и HF:H₂O₂:CH₃COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH с добавлением изопропилового спирта, а затем удаляются с поверхности селективным травлением в HF:H₂O₂:CH₃COOH. Экспериментально показано, что подобный подход позволяет создавать на кремнии субмикронный рельеф поверхности, который приводит к существенному уменьшению коэффициента отражения в широком спектральном диапазоне. Полагается, что предлагаемый метод создания рельефа поверхности может быть использован для повышения эффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе кристаллического кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45170.33

M.S.B. Castro, S. Barnola, B. Gluck. J. Integr. Circuits Systems, 8, 104 (2013)
T.K. Carns, M.O. Tanner, K.L. Wang. J. Electrochem. Soc., 142, 1260 (1995)
M. Stoffel, A. Malachias, T. Merdzhanova, F. Cavallo, G. Isella, D. Chrastina, H. von Kanel, A Rastelli, O.G. Schmidt. Semicond. Sci. Technol., 23, 085021 (2008)
F. Sebaai, L. Witters, F. Holsteyns, K. Wostyn, J. Rip, Y. Yukifumi, R. Lieten, S. Bilodeau, E. Cooper. Sol. St. Phenomena, 225, 3 (2016)
N. Usami, W. Pan, T. Tayagaki, S.T. Chu, J. Li, T. Feng, Y. Hoshi, T. Kiguchi. Nanotechnology, 23, 185401 (2012)
Y. Hoshi, W. Pan, T. Kiguchi, K. Ooi, T. Tayagaki, N. Usami. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 080202 (2013)
X. Liu, P.R. Coxon, M. Peters, B. Hoex, J.M. Cole, D.J. Fray. Energy Environ. Sci., 7, 3223 (2014)
W.L. Bailey, M.G. Coleman, C.B. Harris, I.A. Lesk. US patent: 4137123 (1979)
O. Aonuma, Y. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov, N. Usami. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 08KA01 (2015)
B. Hollander, D. Buca, S. Mantl, J.M. Hartmann. J. Electrochem. Soc., 157, H643 (2010)
A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami. 16th Intern. Conf. Nanotechnology ( IEEE NANO 2016) (Sendai, 2016) TuPM17
A.V. Novikov, B.A. Andreev, N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.N. Yablonskiy, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, M.Ya. Valakh, N. Mesters, J. Pascual. Mater. Sci. Engin. B, 89, 62 (2002)
K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
D.F. Edwards. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press, 1998) v. 1, p. 552
O. Powell, H.B. Harrison. J. Micromech. Microeng., 11, 217 (2001)
K.P. Rola, I. Zubel. Mater. Sci. (Poland), 29, 278 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель