Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути ^*

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45312.39

Переводная версия: 10.1134/S1063782618010098

Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Ильченко Е.В.¹, Боголюбский А.С.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Подгорных С.М.^1,2, Якунин М.В.^1,2, Михайлов Н.Н.^3,4, Дворецкий С.А.^3,5

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

²Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁵Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Email: svpopova@imp.uran.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены магнитополевые (0<B<9 Тл) зависимости продольного и холловского сопротивлений при фиксированных температурах (2<T<50 K) для системы HgCdTe/HgTe/HgCdTe с квантовой ямой HgTe шириной 20.3 нм. Активационный анализ кривых магнитосопротивления был использован в качестве инструмента для определения щелей подвижности между соседними уровнями Ландау. Значения энергии активации, полученные из температурных зависимостей продольного сопротивления в областях плато квантового эффекта Холла с факторами заполнения v=1,2,3, позволили сделать оценки эффективной массы и g-фактора электронов в исследуемой системе. Получены указания на возможность больших значений g-фактора (=~80). DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45312.39

M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
S.S. Krishtopenko, I. Yahniuk, D.B. But, V.I. Gavrilenko, W. Knap, F. Teppe. Phys. Rev. B, 94, 245402 (2016)
M.G. Gavrilov, T.V. Kukushkin. Pis'ma v JETF, 43, 79 (1986)
D. Weiss, E. Stahl, G. Weiman, K. Ploog, K. von Klitziug. Surf. Sci., 170, 285 (1986)
H.P. Wei, A.M. Chang, D.C. Tsui, M. Rozeghi. Phys. Rev. B, 32, 7016 (1985)
Yu.G. Arapov, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, G.A. Alshanskii, O.A. Kuznetsov. Nanotechnology, 11, 351 (2000)
Yu.G. Arapov, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, O.A. Kuznetsov. JETP, 96, 118 (2003)
D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S. Weishaupl, Y. Krupko, J.-C. Portal. Appl. Phys. Lett., 105, 132102 (2014)
T. Khouri, M. Bendias, P. Leubner, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, U. Zeitler, N.E. Hussey, S. Wiedmann. Phys. Rev. B, 93, 125308 (2016)
Y.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 49, 1593 (2015)
Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, M.V. Yakunin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. J. Low Temp. Phys., 185, 665 (2016)
M. Konig, H. Buhmann, L. Molenkamp, T. Hughes. J. Phys. Soc. Jpn, 77, 031007 (2008)
M.I. D'yakonov, A.V. Khaetskii. JETP, 55, 917 (1982); L.G. Gerchikov, A. Subashiev. Phys. Status Solidi B, 160, 443 (1990)
Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, E.G. Novik, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, I.O. Parm, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. B, 83, 193304 (2011)
E.B. Olshanetsky, S. Sassine, Z.D. Kvon et al. Письма ЖЭТФ, 84, 661 (2006); З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, Д.А. Козлов. ФНТ, 35, 10 (2009)
M.V. Yakunin, S.M. Podgornykh, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Physica E, 42, 948 (2010)
E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035321 (2005)
M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7, 534 (2012)
Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, М.В. Якунин, В.Н. Неверов, А.В. Германенко, Г.М. Миньков. Письма ЖЭТФ, 59, 247 (1994)
Y. Guldner, C. Rigaux, M. Grynberg, A. Mycielski. Phys. Rev. B, 8, 3875 (1973)
C.R. Pidgeon, R.N. Brown. Phys. Rev., 146, 515 (1966)
S.S. Krishtopenko, W. Knap, F. Teppe. Sci. Rept., 6, 30755 (2016). Supplementary materials
R.W. Martin, R.J. Warburton, R.G. Nicolas, G.J. Rees, S.K. Haywood, N.J. Mason, R.G. Walker, M. Enemy, L.K. Howard. Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessaloniki, 1990) p. 909
Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, А.Л. Чернов, Н.Г. Шелушинина, Г.Л. Штрапенин. Письма ЖЭТФ, 56, 409 (1992)
Ю.Г. Арапов, О.А. Кузнецов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин. ФТП, 36, 550 (2002)
T. Wimbauer, K. Oettinger, A.L. Efros, B.K. Meyer, H. Brugger. Phys. Rev. B, 50, 8889 (1994)
М.А. Семина, Р.А. Сурис. ФТП, 49, 817 (2015)
M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. Rossler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. L vold. Phys. Rev. B, 57, 14772 (1998)
B. Huckestein. Rev. Mod. Phys., 67, 357 (1995)
A. Pfeuffer-Jeschke, F. Goschenhofer, S.J. Cheng, V. Latussek, J. Gerschutz, C.R. Becker, R.R. Gerhardts, G. Landwehr. Physica B, 256-258, 486 (1998)
Л.С. Бовкун, С.С. Криштопенко, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.Е. Спирин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В.И. Гавриленко. ФТП, 49, 1676 (2015)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245305 (2001)
Z.-D. Kvon, S.N. Danilov, N.N. Mikhailov, S. Dvoretsky, W. Prettl, S. Ganichev. cond-mat/0708.2175
K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, A.A. Firsov. Nature. 438, 197 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель