Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010256 
1ООО Волга--Свет", Саратов, Россия 
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru, shishkinImikhail@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Представлены систематизированные результаты исследований свойств полупроводников InAs, InSb, GaAs в мультизеренной структуре на основе измерений и анализа вольт-амперных и спектральных характеристик. Установлено, что процессы эмиссии и инжекции электронов определяются эффектами локализации состояний в объеме и в приповерхностной области субмикронных зерен. Обнаружены и исследованы явления ограничения тока и низкополевой эмиссии, характерные для квантовых точек. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцового диапазонов. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45323.8515
- Ю.Д. Третьяков. Нанотехнологии. Экология. Производство, 1 (8), 98 (2011)
- С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, В.М. Звероловлев, К.В. Зиновьев, В.Н. Суханов, Н.М. Суханов, Б.Г. Грибов. ФТП, 48, 375 (2014)
- С.М. Пещерова, А.М. Непомнящих, Л.А. Павлов, И.А. Елисеев, Р.В. Пресняков. ФТП, 48, 492 (2014)
- А.А. Бобков, А.И. Максимов, В.А. Мошников, П.А. Сомов, Е.И. Теруков. ФТП, 49, 1402 (2015)
- Р.Б. Васильев, Д.Н. Дирин. Квантовые точки: синтез, свойства, применение (М., МГУ, 2007)
- Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, Д.С. Мосияш. ФТП, 50, 911 (2016)
- А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (21), 88 (2015)
- Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2015)
- О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир 1967)
- А.М. Глезер, В.Л. Столяров, А.А. Томчук, Н.А. Шурыгина. Письма ЖТФ, 42 (1), 103 (2016)
- Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, А.А. Хазанов. ФТП, 50, 772 (2016)
- Н.Д. Жуков, Д.С. Мосияш, А.А. Хазанов, Н.П. Абаньшин. Прикл. физика, 3, 93 (2015)
- Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Электронная эмиссия (М., Интеллект, 2011)
- Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, Д.С. Мосияш. Письма ЖТФ, 41 (22), 7 (2015)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир 1973)
- А.Г. Роках, Д.И. Биленко, М.И. Шишкин, А.А. Скапцов, С.Б. Вениг, М.Д. Матасов. ФТП, 48, 1602 (2014)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Гос. изд-во физ-мат. лит., 1962)
- Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков. ФТП, 39, 716 (2005)
- В.А. Кубальчинский. СОЖ, 7 (4), 98 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
