Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45452.8652

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020203

Тягинов С.Э.^1,2, Макаров А.А.², Jech M.², Векслер М.И.¹, Franco J.³, Kaczer B.³, Grasser T.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria

³IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium IMEC, Leuven, Belgium

Email: Vexler@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 22 июня 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Впервые выполнено детальное моделирование деградации, вызываемой горячими носителями, основанное на самосогласованном рассмотрении транспорта носителей и генерации дефектов на границе раздела SiO₂/Si. Данная модель апробирована с использованием деградационных данных, полученных в декананометровых n-канальных полевых транзисторах. Показано, что взаимное влияние двух указанных аспектов велико и их независимое моделирование влечет серьезные количественные ошибки. При вычислении функций распределения носителей по энергии учитывалась реальная зонная структура кремния и такие механизмы, как ударная ионизация, рассеяние на ионизованной примеси, а также электрон-фононные и электрон-электронные взаимодействия. На микроскопическом уровне генерация дефектов рассматривалась как суперпозиция одночастичного и многочастичного механизмов разрыва связи Si-H. Очень важным прикладным аспектом данной работы является тот факт, что наша модель позволяет надежно оценивать ресурс работы транзистора, подверженного воздействию горячих носителей. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45452.8652

W. McMahon, A. Haggag, K. Hess. IEEE Trans. Nanotech., 2 (1), 33 (2003)
A. Bravaix, C. Guerin, V. Huard, D. Roy, J. Roux, E. Vincent. In: Proc. Intern. Reliability Physics Symp. (IRPS) (2009) p. 531
K. Hess, L.F. Register, B. Tuttle, J. Lyding, I.C. Kizilyalli. Physica E, 3, 1 (1998)
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) Ch. 5: More Moore (2015)
S. Novak, C. Parker, D. Becher, M. Liu, M. Agostinelli, M. Chahal, P. Packan, P. Nayak, S. Ramey, S. Natarajan. In: 2015 IEEE Intern. Reliability Physics Symp. (2015) p. 2F.2.1
S. Ramey, Y. Lu, I. Meric, S. Mudanai, S. Novak, C. Prasad, J. Hicks. In: 2015 IEEE Intern. Integrated Reliability Workshop (IIRW) (2015) p. 56
C.R. Helms, E.H. Poindexter. Rep. Progr. Phys., 57 (8), 791 (1994)
A. Bravaix V. Huard. In: Proc. Europ. Symp. Reliability of Electron Devices Failure Physics and Analysis (ESREF), tutorial (2010) p. 1267
S. Rauch, G.L. Rosa. In: Proc. Intern. Reliability Physics Symp. (IRPS), tutorial (2010)
S. Tyaginov, T. Grasser. In: Proc. Intern. Integrated Reliability Workshop (IIRW) (2012) p. 206
W. McMahon, K. Hess. J. Comput. Electron., 1 (3), 395 (2002)
K.L. Brower. Phys. Rev. B, 42 (6), 3444 (1990)
S.E. Tyaginov, I.A. Starkov, O. Triebl, J. Cervenka, C. Jungemann, S. Carniello, J.M. Park, H. Enichlmair, M. Karner, C. Kernstock, E. Seebacher, R. Minixhofer, H. Ceric, T. Grasser. In: Proc. Intern. Symp. the Physical \& Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) (2010)
M. Bina, S. Tyaginov, J. Franco, Y. Wimmer, D. Osinstev, B. Kaczer, T. Grasser et al. IEEE Trans. Electron Dev., 61 (9), 3103 (2014)
S. Tyaginov, M. Jech, J. Franco, P. Sharma, B. Kaczer, T. Grasser. IEEE Electron Device Lett., 37 (1), 84 (2016)
P. Sharma, S. Tyaginov, M. Jech, Y. Wimmer, F. Rudolf, H. Enichlmair, J.-M. Park, H. Ceric, T. Grasser. Solid-State Electron., 115, pt B, 185 (2016)
M. Bina, K. Rupp, S. Tyaginov, O. Triebl, T. Grasser. In: Proc. Intern. Electron Devices Meeting (IEDM) (2012) p. 713
S. Tyaginov, I. Starkov, C. Jungemann, H. Enichlmair, J.M. Park, T. Grasser. In: Proc. Europ. Solid-State Device Research Conf. (ESSDERC) (2011) p. 151
S. Tyaginov, I. Starkov, O. Triebl, H. Enichlmair, C. Jungemann, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser. In: Proc. Intern. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (2011) p. 123
S.E. Rauch, F.J. Guarin, G. La Rosa. IEEE Electron Dev. Lett., 19 (12), 463 (1998)
P. Sharma, S. Tyaginov, S.E. Rauch, J. Franco, A. Makarov, M.I. Vexler, B. Kaczer, T. Grasser. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (2), 160 (2017)
S. Tyaginov, I. Starkov, H. Enichlmair, J.M. Park, C. Jungemann, T. Grasser. ECS Trans., 35 (4), 321 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель