Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO_xN_y при отжиге под высоким давлением

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45457.8595

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020215

Тысченко И.Е.¹, Кривякин Г.К.¹, Володин В.А.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: tys@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 20 марта 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено зарождение фазы кристаллического германия в пленках SiO_xN_y, имплантированных ионами Ge⁺ с энергией 55 кэВ дозами 2.1·10¹⁵-1.7·10¹⁶ см^-2, после отжига при температуре T_a=800-1300^oC при давлениях 1 бар и 1-12 кбар. Из анализа полосы комбинационного рассеяния света сделано заключение об увеличении размеров преципитатов аморфного германия под действием гидростатического сжатия при температуре 1000^oC. Рассеяние на оптических фононах, локализованных в нанокристаллах германия, наблюдалось лишь после отжига образцов с максимальным содержанием имплантированных атомов при температуре 1300^oC. В спектрах фотолюминесценции наблюдался пик при ~730 нм, природа которого связывается с проявлением квантово-размерного эффекта в нанокристаллах размером ~3 нм. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45457.8595

В.А. Гриценко. УФН, 179, 921 (2009)
В.А. Гриценко. УФН, 178, 727 (2008)
T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996)
I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Solid State Commun., 247, 53 (2016)
S. Mirzaei, F. Kremer, D.J. Sprouster, L.L. Araujo, R. Feng, C.J. Glover, M.C. Ridgway. J. Appl. Phys., 118, 154309 (2015)
J.P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980); www.srim.org
P.A. Temple, C.E. Hathaway. Phys. Rev. B, 7, 3685 (1973)
И.Е. Тысченко, К.С. Журавлев, Е.Н. Вандышев, А. Мисюк, Р.А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа. ФТП, 35, 129 (2001)
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фёльсков, В. Скорупа. ФТП, 33, 559 (1999)
L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
И.Е. Тысченко. ФТП, 49, 1212 (2015)
Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Sachkov, E.B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ, 145, 77 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель