Вышедшие номера
Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020215
Тысченко И.Е.1, Кривякин Г.К.1, Володин В.А.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Изучено зарождение фазы кристаллического германия в пленках SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ с энергией 55 кэВ дозами 2.1·1015-1.7·1016 см-2, после отжига при температуре Ta=800-1300oC при давлениях 1 бар и 1-12 кбар. Из анализа полосы комбинационного рассеяния света сделано заключение об увеличении размеров преципитатов аморфного германия под действием гидростатического сжатия при температуре 1000oC. Рассеяние на оптических фононах, локализованных в нанокристаллах германия, наблюдалось лишь после отжига образцов с максимальным содержанием имплантированных атомов при температуре 1300oC. В спектрах фотолюминесценции наблюдался пик при ~730 нм, природа которого связывается с проявлением квантово-размерного эффекта в нанокристаллах размером ~3 нм. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45457.8595