Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

DOI: 10.21883/FTP.2018.04.45813.02

Переводная версия: 10.1134/S1063782618040255

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а , 16-32-00609

Министерство образования и науки Российской Федераци, гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых - кандидатов наук, МК-6923.2016.2

Rumyantsev V.V.^1,2, Bovkun L.S.^1,3, Kadykov A.M.^1,4, Fadeev M.A.¹, Dubinov A.A.^1,2, Aleshkin V.Ya.^1,2, Mikhailov N.N.^5,6, Dvoretsky S.A.⁵, Piot B.³, Orlita M.^3,7, Potemski M.³, Teppe F.⁴, Morozov S.V.^1,2, Gavrilenko V.I.^1,2

¹Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures RAS, Nizhny Novgorod, Russia

²Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

³Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France

Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France

⁴UMR CNRS, GIS-TERALAB,Universite Montpellier, Montpellier, France UMR CNRS, GIS-TERALAB, Université Montpellier, Montpellier, France

⁵A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁶Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁷Institute of Physics, Charles University, Prague, Czech Republic

Email: rumyantsev@ipmras.ru

Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Статистика просмотров

We investigate the prospects of HgTe/HgCdTe quantum wells for long-wavelength interband lasers (lambda=15-30 mum). The properties of stimulated emission (SE) and magnetoabsorbtion data of QWs structures with wide-gap HgCdTe dielectric waveguide provide an insight on dominating non-radiative carrier recombination mechanism. It is shown that the carrier heating under intense optical pumping is the main factor limiting the SE wavelength and intensity, since the Auger recombination is greatly enhanced when carriers populate high energy states in the valence band. Acknowledgment The work was supported by Russian Foundation for Basic Research (Grant Nos. 16-32-00609) and Ministry of Education and Science of the Russian Federation (MK-6923.2016.2). The work was done using equipment of Center "Physics and technology of micro- and nanostructures" at IPM RAS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель