Приведены результаты исследования электрических, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdIn₂Te₄, выращенных методом Бриджмена. Показано, что электропроводность определяется преимущественно электронами с эффективной массой m_n=0.44 m₀ и подвижностью 120-140 см²/(В·с), слабо зависящей от температуры. CdIn₂Te₄ ведет себя как частично компенсированный полупроводник с энергией ионизации донорных центров E_d=0.38 эВ и степенью компенсации K=N_a/N_d=0.36. Спектры коэффициента поглощения при энергиях hnu<E_g=1.27 эВ подчиняются правилу Урбаха с характерной энергией 18-25 мэВ. Фотопроводимость зависит от толщины образца. По спектрам фотопроводимости определены диффузионная длина, время жизни носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.