Вышедшие номера
Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080249
Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Теоретически исследован туннельный транспорт носителей через тонкий слой диэлектрика (для примера рассмотрен CaF2) между кремниевой подложкой ориентации (111) и полупроводниковым затвором. Наряду с сохранением большого по величине поперечного волнового вектора туннелирующих частиц учтено ограничение на наличие состояний в затворе. Из-за этого ограничения туннельные токи при малых напряжениях на диэлектрике оказываются меньше, чем в аналогичной структуре с металлическим затворным электродом. Эта же особенность обусловливает изменение вида энергетического распределения туннелирующих электронов, причем как при транспорте между зонами проводимости подложки и затвора, так и при переносе зона проводимости Si(111) - валентная зона затвора.