Вышедшие номера
Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge28.5Рb15S56.5
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080092
Кастро Р.А.1, Анисимова Н.И.1, Кононов А.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Представлены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула-Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации - Ep= 0.40 эВ, дипольного момента молекул - mu=1.08 D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа D+ и D-.