Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 8 » Статья стр. 949
<<<>>>
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46225.8809
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080225
Васильева Г.Ю.1, Васильев Ю.Б.1, Новиков С.Н.2, Данилов С.Н.3, Ганичев С.Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Aalto University, Fi Espoo, Finland
3Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany E-mail:
Email: yu.vasilyev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
PDF версия
Рассматривается новый способ формирования латеральных p-n-переходов в эпитаксиальном графене с помощью УФ излучения. Применение метода УФ засветки позволяет получить p-n-переходы большого размера, которые исследовались в режиме фототока и фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Обсуждаются механизмы терагерцового фотоответа p-n-переходов в графене.
  1. P.N. First, W.A. de Heer, T. Seyller, C. Berger, J.A. Stroscio, J.-S. Moon. MRS Bulletin, 35 (4), 296 (2010)
  2. A.C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Fal'ko et al. Nanoscale, 7, 4598 (2015)
  3. Yu.B. Vasilyev, G.Yu. Vasileva, Yu.L. Ivanov, S. Novikov, S.N. Danilov. Appl. Phys. Lett., 105 (17), 171105 (2014)
  4. A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, M. Ryzhii, T. Otsuji, V. Ryzhii. Appl. Phys. Exp., 2 (9), 092301 (2009)
  5. S. Hertel, D. Waldmann, J. Jobst, A. Albert, M. Albrecht, S. Reshanov, A. Schoner, M. Krieger, H.B. Weber. Nature Commun., 3, 957 (2012)
  6. А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, С.Н. Новиков, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Д.П. Литвин, Ю.Н. Макаров, В.С. Левицкий. ЖТФ, 86 (3), 135 (2016)
  7. А.А. Лебедев, В.Ю. Давыдов, С.Н. Новиков, Д.П. Литвин, Ю.Н. Макаров, В.Б. Климович, М.П. Самойлович. Письма ЖТФ, 42 (14), 28 (2016)
  8. J.R. Williams, L. DiCarlo, C.M. Marcus. Science, 317 (5838), 638 (2007)
  9. T. Lohmann, K. von Klitzing, J.H. Smet. Nano Lett., 9 (5), 1973 (2009)
  10. B.H. Kim, S.J. Hong, S.J. Baek, H.Y. Jeong, N. Park, M. Lee, S.W. Lee, M. Park, S.W. Chu, H.S. Shin, J. Lim, J.C. Lee, Y. Jun, Y.W. Park. Sci. Rep., 2, 690 (2012)
  11. R. Lv, Q. Li, A.R. Botello-Mendez, T. Hayashi, B. Wang, A. Berkdemir, Q. Hao, A.L. Elias, R. Cruz-Silva, H.R. Gutierrez, Y.A. Kim, H. Muramatsu, J. Zhu, M. Endo, H. Terrones, J.-C. Charlier, M. Pan, M. Terrones. Sci. Rep., 2, 586 (2012)
  12. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P.K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai. Science, 324 (5928), 768 (2009)
  13. Z. Fang, Y. Wang, Z. Liu, A. Schlather, P.M. Ajayan, F.H.L. Koppens, P. Nordlander, N.J. Halas. ACS Nano, 6 (11), 10222 (2012)
  14. D. Wu, K. Yan, Y. Zhou, H. Wang, L. Lin, H. Peng, Z. Liu. J. Am. Chem. Soc., 135 (30), 10926 (2013)
  15. I. Childres, L.A. Jauregui, M. Foxe, J. Tian, R. Jalilian, I. Jovanovic, Y.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 97 (17), 173109 (2010)
  16. M. Kalbac, O. Lehtinen, A. Krasheninnikov, J. Keinonen. Adv. Mater., 25 (7), 1004 (2012)
  17. X. Yu, Y. Shen, T. Liu, T.T. Wu, Q.J. Wang. Sci. Rep., 5, 12014 (2015)
  18. T. Mueller, F. Xia, P. Avouris. Nature Photonics, 4, 297 (2010)
  19. E. Vesapuisto, W. Kim, S. Novikov, H. Lipsanen, P. Kuivalainen. Phys. Status Solidi B, 248 (8), 1908 (2011)
  20. D.S. Lee, C. Riedl, B. Krauss, K. von Klitzing, U. Starke, J.H. Smet. Nano Lett. 8, (12), 4320 (2008)
  21. X.S. Wu, Y.K. Hu, M. Ruan, N.K. Madiomanana, J. Hankinson, M. Sprinkle, C. Berger, W.A. de Heer. Appl. Phys. Lett., 95 (22), 223108 (2009)
  22. S. Kopylov, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin, V.I. Fal'ko. Appl. Phys. Lett., 97 (11), 112109 (2010)
  23. S. Ryu, L. Liu, S. Berciaud, Y.-J. Yu, H. Liu, P. Kim, G.W. Flynn, L.E. Brus. Nano Lett., 10 (12), 4944 (2010)
  24. S. Lara-Avila, K. Moth-Poulsen, R. Yakimova, T. Bj rnholm, V. Fal'ko, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin. Adv. Mater., 23 (7), 878 (2011)
  25. S. Novikov, N. Lebedeva, K. Pierz, A. Satrapinski. IEEE Trans. Instrum. Measurem., 64 (6), 1533 (2015)
  26. S.D. Ganichev, S.N. Danilov, V.V. Bel'kov, E.L. Ivchenko, M. Bichler, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl. Phys. Rev. Lett., 88 (5), 057401 (2002.)
  27. V. Lechner, L.E. Golub, P. Olbrich, S. Stachel, D. Schuh, W. Wegscheider, V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev. Appl. Phys. Lett., 94 (24), 242109 (2009)
  28. C. Jiang, V.A. Shalygin, V.Yu. Panevin, S.N. Danilov, M.M. Glazov, R. Yakimova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 84 (12), 125429 (2011)
  29. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 35, 297 (1982)
  30. С.Д. Ганичев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий. Письма в ЖТФ, 11 (1), 46 (1985)
  31. S.D. Ganichev, W. Prettl. Intense Terahertz Excitation of Semiconductors (Oxford University Press, 2006)
  32. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, P. Schneider, C. Back, M. Oestreich, J. Rudolph, D. Hagele, L.E. Golub, W. Wegscheider, W. Prettl. Sol. St. Commun., 128 (8), 283 (2003)
  33. N.M. Gabor, J.C. Song, Q. Ma, N.L. Nair, T. Taychatanapat, K. Watanabe, T. Taniguchi, L.S. Levitov, P. Jarillo-Herrero. Science, 334 (6056), 648 (2011)
  34. J. Karch, J. Karch, P. Olbrich, M. Schmalzbauer, C. Zoth, C. Brinsteiner, M. Fehrenbacher, U. Wurstbauer, M.M. Glazov, S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, D. Weiss, J. Eroms, R. Yakimova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, S.D. Ganichev. Phys. Rev. Lett., 105 (22), 227402 (2010)
  35. C. Drexler, S.A. Tarasenko, P. Olbrich, J. Karch, M. Hirmer, F. Muller, M. Gmitra, J. Fabian, R. Yakimova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, M. Wang, R. Vajtai, P.M. Ajayan, J. Kono, S.D. Ganichev. Nature Nanotechnol., 8, 104 (2013)
  36. M. Kim, H.A. Yoon, S. Woo, D. Yoon, S.W. Lee, H. Cheong. Appl. Phys. Lett., 101 (7), 073103 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme