Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 12 » Статья стр. 1507
<<<>>>
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46766.8882
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120047
Министерство образования и науки Российской Федерации , Госзадание, 16.2483.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк, 16-32-60147
Алексеев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Михайлов А.О.1, Лебедев С.П.2, Лебедев А.А.1, Илькив И.В.3, Хребтов А.И.2, Буравлев А.Д.1,3,4, Цырлин Г.Э.2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: npoxep@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
by 0.6pt Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой ~0.6 В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.
  1. P. Krogstrup, H.I. J rgensen, M. Heiss, O. Demichel, J.V. Holm, M. Aagesen, J. Nygard, A.F. i Morral. Nature Photonics, 7, 306 (2013)
  2. L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, B. Korevaar, O. Sulima, J. Rand. Appl. Phys. Lett., 91, 233117 (2007)
  3. H. Zhang, X. Dai, N. Guan, A. Messanvi, V. Neplokh, V. Piazza, M. Vallo, C. Bougerol, F.H. Julien, A. Babichev, N. Cavassilas. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 26198 (2016)
  4. A. Babichev, H. Zhang, P. Lavenus, F. Julien, A.Y. Egorov, Y. Lin, L. Tu, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 103, 201103 (2013)
  5. Y. Wu, X. Yan, X. Zhang, X. Ren. Appl. Phys. Lett., 109, 183101 (2016)
  6. J.M. Lee, J.W. Choung, J. Yi, D.H. Lee, M. Samal, D.K. Yi, C.-H. Lee, G.-C. Yi, U. Paik, J.A. Rogers, W.I. Park. Nano Lett., 10, 2783 (2010)
  7. K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg. Nature Materials, 8, 203 (2009)
  8. V.Y. Davydov, D.Y. Usachov, S. Lebedev, A. Smirnov, V. Levitskii, I. Eliseyev, P. Alekseev, M. Dunaevskiy, O.Y. Vilkov, A. Rybkin, A.A. Lebedev. Semiconductors, 51, 1072 (2017)
  9. A.M. Munshi, D.L. Dheeraj, V.T. Fauske, D.-C. Kim, A.T. van Helvoort, B.-O. Fimland, H. Weman. Nano Lett., 12, 4570 (2012)
  10. J.-H. Kang, Y. Ronen, Y. Cohen, D. Convertino, A. Rossi, C. Coletti, S. Heun, L. Sorba, P. Kacman, H. Shtrikman. Semicond. Sci. Technol., 31, 115005 (2016)
  11. M. Heilmann, A.M. Munshi, G. Sarau, M. Gobelt, C. Tessarek, V.T. Fauske, A.T. van Helvoort, J. Yang, M. Latzel, B. Hoffmann, G. Coniberr. Nano Lett., 16, 3524 (2016)
  12. V. Panchal, R. Pearce, R. Yakimova, A. Tzalenchuk, O. Kazakova. Sci. Rep., 3, 2597 (2013)
  13. V. Trukhin, A. Buyskikh, N. Kaliteevskaya, A. Bourauleuv, L. Samoilov, Y.B. Samsonenko, G. Cirlin, M. Kaliteevski, A. Gallant. Appl. Phys. Lett., 103, 072108 (2013)
  14. G. Cirlin, I. Shtrom, R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A. Khrebtov, A. Bouravleuv, I. Soshnikov. Semiconductors, 50, 1421 (2016)
  15. V. Kumaresan, L. Largeau, A. Madouri, F. Glas, H. Zhang, F. Oehler, A. Cavanna, A. Babichev, L. Travers, N. Gogneau, M. Tchernycheva. Nano Lett., 16, 4895 (2016)
  16. S. Fernandez-Garrido, M. Ramsteiner, G. Gao, L.A. Galves, B. Sharma, P. Corfdir, G. Calabrese, Z. de Souza Schiaber, C. Pfuller, A. Trampert, J.M.J. Lopes. Nano Lett., 17, 5213 (2017)
  17. P. Alekseev, P. Geydt, M. Dunaevskiy, E. Lahderanta, T. Haggren, J.-P. Kakko, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 111, 132104 (2017)
  18. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 2006)
  19. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
  20. P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, V.Yu. Davydov, V.L. Berkovits. Nanotechnology, 29, 314003 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme