Вышедшие номера
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120047
Министерство образования и науки Российской Федерации , Госзадание, 16.2483.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк, 16-32-60147
Алексеев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Михайлов А.О.1, Лебедев С.П.2, Лебедев А.А.1, Илькив И.В.3, Хребтов А.И.2, Буравлев А.Д.1,3,4, Цырлин Г.Э.2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: npoxep@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

by 0.6pt Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой ~0.6 В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.