Представлено исследование радиационной стойкости трех типов коммерческих выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния (4H-SiC, уровень легирования базового слоя (3-7)·10¹⁵ см^-3 ) при электронном облучении (с энергиями электронов 0.9 или 3.5 МэВ), а также при протонном облучении (с энергией протонов 15 МэВ). Контролировались прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов. В исходном состоянии диоды характеризовались напряжением пробоя 1-2 кВ и практически идеальной прямой вольт-амперной характеристикой. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению и определяющим радиационную стойкость параметром является последовательное сопротивление диодов, растущее почти на 10 порядков и достигающее 10⁹ Ом при больших дозах. Пороговые дозы при облучении электронами лежат в пределах D_th~(0.5-2)·10¹⁶ cм^-2 и зависят от энергии электронов и уровня легирования базового слоя, а при облучении протонами D_th~5·10¹³ cм^-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.