Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga2Se3)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020209 
1Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Email: bahadur34@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Представлены результаты измерений электропроводности слоистых кристаллов (GaSe, GaTe и их твердых растворов) и кубических кристаллов типа Ga2Se3 в сильных электрических полях до 5·105 В/см в интервале температур (77-300) K. Полученные результаты были сравнены с феноменологической теорией концентрационной неустойчивости в полупроводниках. В этой теории рассматривается роль эффекта Френкеля, связанного с термоэлектронной ионизацией ловушек, приводящих к процессу неустойчивости в полупроводниках с S-образной вольт-амперной характеристикой. На основании результатов измерений электропроводности слоистых и кубических кристаллов с эффектом Френкеля и теорией неустойчивости тока в полупроводниках оценена концентрация свободных носителей тока в указанных типах халькогенидных полупроводников: n=(3·1013-4·1015) см-3.
- Ф. Мейзда. Электронные измерительные приборы и методы измерений (М., Мир, 1990)
- А.А. Рогачев, И.Н. Саблина. ФТТ, 8 (1), 187 (1966)
- К.В. Шалимова. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам (М., Высш. шк., 1968)
- И.Ю. Уханов. Оптические свойства полупроводников (M., Наука, 1977)
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (M., Высш. шк., 1984)
- Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1893 (1938)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- Ф. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах (M., Физматгиз, 1963)
- Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 23, 619 (1952)
- А.М. Саржевский. Оптика. Полный курс (Едиториал УРСС, 2004)
- И.3. Фишер, Ч.К. Смолик. ФТТ. Сб. cтатей, ч. 2 (М., 1959)
- В.Б. Сандомирский, А.А. Суханов, А.Г. Ждан. ЖЭТФ, 58 (5), 1683 (1970)
- З.С. Медведева. Халькогениды элементов III (Б) подгруппы Периодической системы (M., Наука, 1968)
- E.S. Guseinova, V.A. Gadzhiev, B.G. Tagiyev. Phys. Status Solidi B, 36, 75 (1969)
- А.М. Пашаев, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев. ФТТ, 55 (5), 861 (2013)
- А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (M.; Л., Изд-во АН СССР, 1957)
- S.D. Ganichev, I.N. Yassievich, A.A. Istratov, Eicke R. Weber. Phys. Rev. B, 61 (15), 361 (2000)
- К.А. Насыров, В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, Д.В. Гриценко, Д.-В. Ли, Ч.В. Ким. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена., N5 (13),447 (2005)
- Y.Q. Wu, H.C. Lin, P.D. Ye. Appl. Phys. Lett., 90 (7), 072105 (2007)
- В.А. Гриценко. УФН, 182 (5), 531 (2012)
- C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo. Phys. Rev. B, 10 (8), 3387 (1974)
- C. Manfredotti, A.M. Mancini, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasenelli. Nuovo Cimento B, 39 (1), 257 (1977)
- А.П. Одринский. ФТП, 44, 883 (2010)
- G.A. Dussel, K.W. Boer. Phys. Status Solidi B, 39, 375 (1970)
- Б.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП, 44, 1194 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
