Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 450
<<<>>>
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47437.9004
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040043
Баженов Н.Л. 1, Мынбаев К.Д.1,2, Семакова А.А.2, Зегря Г.Г. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, zegrya@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Получены выражения для скорости оже- и излучательной рекомбинации в рамках модели Кейна в материалах с шириной запрещенной зоны, близкой к энергии спин-орбитального расщепления, что имеет место в InAs, твердых растворах InAsSb и т. д. Проведено сравнение наших результатов с упрощенными выражениями для скоростей рекомбинации, часто используемыми в литературе, и показано, что при вычислении скоростей рекомбинации необходимо учитывать непараболичность энергетического спектра носителей заряда. Для примера вычислен температурный ход времени жизни, обусловленного излучательным и безызлучательными процессами рекомбинации, для твердых растворов InAsSb.
  1. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (4), 444 (2015)
  2. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (9), 1206 (2015)
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  4. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  5. Б.Л. Гельмонт, 3.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
  6. F. Bertazzi, М. Goano, Е. Bellotti. J. Electron. Mater., 40 (8), 1663 (2011)
  7. В.V. Olson, Е.A. Shaner, J.К. Kim, J.F. Klem, S.D. Hawkins, М.E. Flatte, T.F. Boggess. Appl. Phys. Lett., 103, 052106 (2013)
  8. В.С. Евстигнеев, В.С. Варавин, А.В. Чилясов, В.Г. Ремесник, А.Н. Моисеев, Б.С. Степанов. ФТП, 52 (6), 554 (2018)
  9. H. Wen, В. Pinkie, Е. Bellotti. J. Appl. Phys., 118 (1), 015702 (2015)
  10. A. Haug. J. Phys. C: Solid State Phys., 17, 6191 (1984)
  11. Д.М. Кабанов, E.В. Лебедок, Ю.П. Яковлев. ЖПС, 84 (5), 786 (2017)
  12. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. (СПб., ПИЯФ им. Б.Н. Константинова, 1997)
  13. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75 (2(8)), 536 (1978)
  14. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. (СПб., Наука, 2001)
  15. М.Ш. Айдаралиев. Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26 (2), 246 (1992)
  16. N.К. Dutta, R.J. Nelson. J. Appl. Phys., 53 (1), 74 (1982)
  17. A. Haug, D. Kerkhoff, W. Lochmann. Phys. Status Solidi B, 89 (2), 357 (1978)
  18. A. Sugimura. J. Appl. Phys., 51 (8), 4405 (1980)
  19. Б.Л. Гельмонт, 3.H. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
  20. Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, А.И. Ижнин, В.А. Смирнов. ФТП, 25 (6), 1103 (1991)
  21. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25 (11), 2019 (1991)
  22. A. Polkovnikov, G. Zegrya. Phys. Rev. В, 64 (7), 073205 (2001)
  23. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme