Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
Баженов Н.Л.
1, Мынбаев К.Д.1,2, Семакова А.А.2, Зегря Г.Г.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, zegrya@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Получены выражения для скорости оже- и излучательной рекомбинации в рамках модели Кейна в материалах с шириной запрещенной зоны, близкой к энергии спин-орбитального расщепления, что имеет место в InAs, твердых растворах InAsSb и т. д. Проведено сравнение наших результатов с упрощенными выражениями для скоростей рекомбинации, часто используемыми в литературе, и показано, что при вычислении скоростей рекомбинации необходимо учитывать непараболичность энергетического спектра носителей заряда. Для примера вычислен температурный ход времени жизни, обусловленного излучательным и безызлучательными процессами рекомбинации, для твердых растворов InAsSb.
- Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (4), 444 (2015)
- Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (9), 1206 (2015)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer. L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
- Б.Л. Гельмонт, 3.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
- F. Bertazzi, М. Goano, Е. Bellotti. J. Electron. Mater., 40 (8), 1663 (2011)
- В.V. Olson, Е.A. Shaner, J.К. Kim, J.F. Klem, S.D. Hawkins, М.E. Flatte, T.F. Boggess. Appl. Phys. Lett., 103, 052106 (2013)
- В.С. Евстигнеев, В.С. Варавин, А.В. Чилясов, В.Г. Ремесник, А.Н. Моисеев, Б.С. Степанов. ФТП, 52 (6), 554 (2018)
- H. Wen, В. Pinkie, Е. Bellotti. J. Appl. Phys., 118 (1), 015702 (2015)
- A. Haug. J. Phys. C: Solid State Phys., 17, 6191 (1984)
- Д.М. Кабанов, E.В. Лебедок, Ю.П. Яковлев. ЖПС, 84 (5), 786 (2017)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. (СПб., ПИЯФ им. Б.Н. Константинова, 1997)
- Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75 (2(8)), 536 (1978)
- Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. (СПб., Наука, 2001)
- М.Ш. Айдаралиев. Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26 (2), 246 (1992)
- N.К. Dutta, R.J. Nelson. J. Appl. Phys., 53 (1), 74 (1982)
- A. Haug, D. Kerkhoff, W. Lochmann. Phys. Status Solidi B, 89 (2), 357 (1978)
- A. Sugimura. J. Appl. Phys., 51 (8), 4405 (1980)
- Б.Л. Гельмонт, 3.H. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
- Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, А.И. Ижнин, В.А. Смирнов. ФТП, 25 (6), 1103 (1991)
- Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25 (11), 2019 (1991)
- A. Polkovnikov, G. Zegrya. Phys. Rev. В, 64 (7), 073205 (2001)
- Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
