Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник
Набиуллин И.Р.
1, Гадиев Р.М.
1, Лачинов А.Н.
21Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, Уфа, Россия
2Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
Email: gadiev.radik@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Представлены результаты исследования свойств потенциального барьера Cr-p-Si вблизи температур фазового перехода антиферромагнетик/парамагнетик в Cr. Обнаружено значительное изменение потенциального барьера и аномальное увеличение проводимости в структуре Cr-p-Si-Au вблизи температуры фазового перехода 2-го рода антиферромагнетик/парамагнетик в хроме. Установлено, что по мере приближения к температуре фазового перехода в структуре наблюдается нарастание флуктуаций тока. Интерпретация полученных экспериментальных результатов строится на предположении о том, что наблюдаемые изменения электронных транспортных свойств контакта Cr-Si обусловлены изменением положения квазиуровня Ферми хрома в результате фазового перехода 2-го рода.
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- M. Matlak, M. Pietruszka. J. Alloys Comp., 291, 21 (1999)
- В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. Письма ЖЭТФ, 61 (11), 902 (1995)
- M. Matlak, M. Pietruszka. Phys. Status Solidi B, 241 (1), 163 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
