Изучено влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия, полученных на сапфировых и полупроводниковых пластинах n(p)-GaAs методом высокочастотного магнетронного напыления. Пленки, выращенные на диэлектрических подложках, как правило, оказываются высокоомными, n-типа проводимости. Рост проводимости в них с повышением температуры обусловлен ионизацией глубоких донорных центров с энергией (0.98±0.02) эВ ниже дна зоны проводимости. Независимо от типа проводимости полупроводниковых подложек, пленки оксида галлия, выращенные на монокристаллических слоях GaAs, также имеют n-тип проводимости. Однако проводимость таких пленок оказывается существенно выше, что объясняется возможной диффузией неконтролируемых примесей из полупроводника в растущий слой оксида галлия. Электрические характеристики структур Ga₂O₃-полупроводник в большей степени определяются свойствами границы раздела оксид-полупроводник, чем свойствами контактирующих материалов. На обратной ветви вольт-амперных характеристик образцов Ga₂O₃/p-GaAs до отжига наблюдается участок отрицательного сопротивления N-типа. После отжига пленок оксида галлия при 900^oC (30 мин) проводимость структур соответствует вольт-амперной характеристике обращенного диода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.