Аналитически и численно показано, что подвижность дырок в дельта-допированных (т. е. имеющих малую толщину порядка нескольких постоянных кристаллической решeтки) бором слоях алмаза падает с уменьшением их двумерной концентрации в процессе обеднения дельта-допированного слоя внешним напряжением. Данное падение наиболее резко выражено для максимальных начальных двумерных концентраций дырок ~3·10¹³ см^-2 (ограниченных сверху условием возможности их существенного уменьшения без электрического пробоя алмаза) и объясняется снижением степени экранирования рассеивающих кулоновских потенциалов ионизованных атомов бора и увеличением эффективности рассеяния на них вырожденных дырок вследствие уменьшения кинетической энергии последних. Соответствующие вычисления транспортного сечения рассеяния дырок проведены без использования борновского приближения (т. е. теории возмущений), условия применимости которого в дельта-допированных бором слоях алмаза не выполняются. Предсказанный эффект может быть использован при конструировании полевых транзисторов с дельта-допированными проводящими каналами на алмазе для увеличения эффективности модуляции тока исток-сток напряжением на управляющем затворе. Ключевые слова: двумерное экранирование кулоновского потенциала, дельт-допированный слой, осажденный из газовой фазы алмаза, подвижность дырок, полевой транзистор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.