В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO₂)₂₅, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO₂, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO₂)₂₅ было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO₂)₂₅ при температурах 580-600^oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO₂, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn₂SiO₄ с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.