Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация толщины слоя In_0.3Ga_0.7As в трехкаскадном In_0.3Ga_0.7As/GaAs/In_0.5Ga_0.5P солнечном элементе

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48776.9240

Переводная версия: 10.1134/S1063782620010133

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03292

Леган Д.М.¹, Пчеляков О.П.¹, Преображенский В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: dmlegan@isp.nsc.ru, pch@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 9 августа 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью программного пакета для приборно-технологического моделирования "Sentaurus TCAD" производился поиск оптимальной толщины поглощающего слоя нижнего каскада In_0.3Ga_0.7As трехкаскадного In_0.3Ga_0.7As/GaAs/In_0.5Ga_0.5P солнечного элемента в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое. Величина времени жизни задавалась в диапазоне от 17 пс до 53 нс. Результаты расчета показали, что в зависимости от величины времени жизни оптимальная толщина принимает различные значения в диапазоне от 0.9 до 7.5 мкм. Также была проведена оценка вклада в кпд данного трехкаскадного солнечного элемента от нижнего In_0.3Ga_0.7As каскада. При различных значениях времен жизни, его величина составила от 1 до 7%. Ключевые слова: численное моделирование, оптимальная толщина, солнечный элемент, In_0.3Ga_0.7As, Sentaurus TCAD.

R. King, C. Fetzet, D. Law, K. Edmondson, H. Yoon, G. Kinsey, D. Krut, J. Ermer, P. Hebert, B. Cvicchi, N. Karam. Proc. 4th IEEE World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Waikoloa, Hawaii, USA, 2006) v. 2, p. 1757
J.F. Geisz, S. Kurtz, M. Wanlass, J.S. Ward, A. Duda, D.J. Friedman, J.M. Olson, W.E. McMahon, T.E. Moriarty, J.T. Kiehl. Appl. Phys. Lett., 91, 023502 (2007)
T. Takamoto, H. Washio, H. Juso. Proc. 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. (Denver, Colorado, USA, 2014)
C. Youtsey, J. Adams, R. Chan, V. Elarde, G. Hillier, M. Osowski, D. McCallum, H. Miyamoto, N. Pan, C. Stender, R. Tataverti, F. Tuminello, A. Wibowo. Proc. 26th CS MANTECH Conf. (Boston, Massachusetts, USA, 2012)
J. Bi, G. Lin, J. Liu, M. Song, L. Wang, W. Xiong, Z. Wu, Z. Lin. Proc. 8th Int. Conf. on Concentrating Photovoltaic Systems (Toledo, Spain, 2012) v. 1477, p. 57
В.М. Андреев, А.В. Малевская, А.С. Гудовских, Ю.М. Задиранов. Патент N 2436191 (http://www.freepatent.ru/patents/2436191)
D. Xue, J. Tu, W. Lai, W. Zhang, Y. Seng, T. Guo. 2D-simulation of Inverted Metamorphic GaInP/GaAs/In_0.3Ga_0.7As/In_0.58 Ga_0.42As Four-junction Solar Cell. Proc. Int. Conf. on Power Engineering \& Energy, Environment (PEEE 2016) (ShangHai, China)
M. Niemeyer, J. Ohllmann, A.W. Walker, P. Kleinschmidt, R. Lang, T. Hannappel, F. Dimroth, D. Lackner. J. Appl. Phys., 122, 115702 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель