Вышедшие номера
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020177
РФФИ, офи-м, 16-29-03127
Минобрнауки России, ГЗ, 3.9787.2017/8.9
Моисеев Э.И.1, Максимов М.В.1, Крыжановская Н.В.1,2, Симчук О.И.1, Кулагина М.М.3, Кадинская С.А.1, Guina M.4, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Tampere University of Technology, Tampere, Finland
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время последние характеризуются заметно меньшей долей излучаемой мощности, приходящейся на лазерные моды. Также для них характерен перескок к генерации через возбужденный оптический переход. Этих недостатков лишены микродисковые лазеры на основе InGaAsN. Ключевые слова: микролазер, квантовые ямы, квантовые точки, азотсодержащие полупроводники.