Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия
Астров Ю.А.1, Lynch S.A.2, Шуман В.Б.1, Порцель Л.М.1, Махова А.А.1, Лодыгин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2School of Physics and Astronomy, Cardiff University, United Kingdom
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Изучался эффект высокотемпературного прогрева (при 1340oC) образцов легированного серой кремния с последующей закалкой. Результат такой обработки исследовался с помощью измерений эффекта Холла в температурной области T=78-500 K. Обнаружено, что длительность прогрева существенно влияет на соотношение концентраций глубоких донорных центров серы разного типа. При относительно малых временах прогрева, t=2-10 мин, наблюдается значительное уменьшение концентрации квазимолекулярных центров S2, а также комплексов SX, тогда как плотность одноатомных центров S1 растет. В то же время прогрев образцов сопровождается монотонным снижением во времени полной концентрации электрически активной серы. Проведенные исследования позволяют дать рекомендации относительно оптимальных условий получения образцов с высокой концентрацией S1 центров. Спектры поглощения образцов показывают перспективы метода для задач наблюдения ряда квантово-оптических эффектов с участием глубоких доноров S1 в кремнии.
- E.E. Orlova, R.Ch. Zhukavin, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B, 210, 859 (1998)
- H.-W. Hubers, K. Auen, S.G. Pavlov, E.E. Orlova, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 74, 2655 (1999)
- S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, U. Bottger, R.Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, K.A. Kovalevsky, V.N. Shastin. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 15, 925 (2009)
- P.T. Greenland, S.A. Lynch, A.F.G. van der Meer, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, B. Redlich, N.Q. Vinh, G. Aeppli. Nature, 465, 1057 (2010)
- S. Simmons, R.M. Brown, H. Riemann, N.V. Abrosimov, P. Becker, H.-J. Pohl, M.L.W. Thewalt, K.M. Itoh, J.J.L. Morton. Nature, 470, 69 (2011)
- E. Janzen, R. Stedmann, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29 1907 (1984)
- M. Steger, A. Yang, M.L.W. Thewalt, M. Cardona, H. Riemann, N.V. Abrosimov, M.F. Churbanov, A.V. Gusev, A.D. Bulanov, I.D. Kovalev, A.K. Kaliteevskii, O.N. Godisov, P. Becker, H.-J. Pohl, E.E. Haller, J.W. Ager, III. Phys. Rev. B, 80, 115 204 (2009)
- S.D. Brotherton, M.J. King, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
- P. Wagner, C. Holm, E. Sirt, R. Oeder, W. Zulehner. Chalcogens as point defects in silicon [Advances in Sol. State Phys.], ed. by P. Grosse (Friedr. Vieweg \& Sohn, Braunschweig) v. 3, 191 (1984)
- N. Sclar. J. Appl. Phys., 52, 5207 (1981)
- Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
- G.W. Ludwig. Phys. Rev. A, 137, 1520 (1965)
- H. Overhof, M. Scheffer, C.M. Weinert. Phys. Rev. B, 43, 12 494 (1991)
- W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion in crystal solids (Academic Press, N.Y., 1984) p. 63
- P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 44, 777 (1984)
- Ю.А. Астров, В.А. Козлов, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, В.Б. Шуман, E.L. Gurevich, R. Hergenroder. ФТП, 43, 739 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.