Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов

Александров П.А.¹, Демаков К.Д.¹, Шемардов С.Г.¹, Кузнецов Ю.Ю.¹

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний-сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90-150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке.

П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43 (5), 627 (2009)
M.L. Burgener, R.E. Reedy. United States Patent, No 5 416 043 (1995)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 44 (10), 1433 (2010)
В.М. Воротынцев, Е.Л. Шоболов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
T. Liu et al. Proc. 9th Eur. Conf. Radiation and its Effects on Components and Systems (Deauville, France, 2007) p. 11
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент РФ, N 2427941 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель