Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов
Александров П.А.1, Демаков К.Д.1, Шемардов С.Г.1, Кузнецов Ю.Ю.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний-сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90-150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке.
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43 (5), 627 (2009)
- M.L. Burgener, R.E. Reedy. United States Patent, No 5 416 043 (1995)
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 44 (10), 1433 (2010)
- В.М. Воротынцев, Е.Л. Шоболов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
- T. Liu et al. Proc. 9th Eur. Conf. Radiation and its Effects on Components and Systems (Deauville, France, 2007) p. 11
- П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент РФ, N 2427941 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
