Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Российский научный фонд, «Проведение исследований научными лабораториями мирового уровня в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-30072
Шашкин И.С.1, Лешко А.Ю.1, Николаев Д.Н.1, Шамахов В.В.1, Рудова Н.А.1, Бахвалов К.В.1, Лютецкий А.В.1, Капитонов В.А.1, Золотарев В.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.
1, Копьев П.С.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shashkin@mail.ioffe.ru, arobei@mail.ioffe.ru, dim@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, kirill_bah@yahoo.com, lutetskiy@mail.ioffe.ru, V.A.Kapitonov@mail.ioffe.ru, zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.rssi.ru, Ps@kopjev.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 23 декабря 2019 г.
Принята к печати: 23 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25oC, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8oC позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область "оптического провала", в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности. Ключевые слова: одномодовый лазер, AlGaAs/GaAs, оптический провал, моды высшего порядка, пиковая мощность.
- G.C. Rodrigues, H. Vanhove, J.R. Duflou. Phys. Procedia, 56, 901 (2014)
- M. Wilkens, H. Wenzel, J. Fricke, A. Maabdorf, P. Ressel, S. Strohmaier, A. Knigge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE Photon. Technol. Lett., 30 (6), 545 (2018)
- S. Zhao, H. Qu, Y Liu, L. Li, Y. Chen, X. Zhou, Y. Lin, A. Liu, A. Qi, W. Zheng. IEEE Photon. Technol. Lett., 29 (23), 2005 (2017)
- Н.А. Берт, А.Д. Бондарев, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, Я.В. Лубянский, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, К.Р. Аюшева, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 49 (10), 1429 (2015)
- Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
- J. Piprek. Optical Quant. Electron., 51 (2), 60 (2019)
- H. Lamela, B. Roycroft, P. Acedo, R. Santos, G. Carpintero. Optics Lett., 27 (5), 303 (2002)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105001 (2014)
- A. Komissarov, M. Maiorov, R. Menna, S. Todorov, J. Connolly, D. Garbuzov, V. Khalfin, A. Tsekoun. In: Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest [IEEE Cat. No.01CH37170] (2001) p. 31
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
