Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические свойства и критические точки наноструктурированных тонких пленок PbSe
Переводная версия: 10.1134/S106378262006007X 
1Институт природных ресурсов Нахичеванского отделения Национальной академии наук Азербайджана, A Нахичевань, Азербайджан 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: msalimascience@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 13 февраля 2020 г.
Принята к печати: 13 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
Для изучения оптических свойств наноструктурированных тонких пленок PbSe, полученных методом химического осаждения, был использован метод спектроскопической эллипсометрии. Для лучшего разрешения структуры межзонных переходов и определения критических точек используется функция d2ε/domega2, полученная путем численного дифференцирования экспериментальных данных диэлектрической функции ε/omega. Теоретическая подгонка была проведена с помощью программы "Graphical Analysis". Наилучшая подгонка получена для двухмерной (2D) формы критической точки (m=0), для области энергий E=2-3 эВ и была определена одна критическая точка, соответствующая Eg=2.5 эВ. Это значение относится к переходу L4-> L6 зоны Бриллюэна. Ключевые слова: спектроскопическая эллипсометрия, зона Бриллюэна, химическое осаждение, селенид свинца, диэлектрическая функция, анализ критических точек.
- S. Chatterjee, U. Pal. Opt. Eng., 32, 2923 (1993)
- T.K. Chaudhuri. Int. J. Eng. Res., 16, 481 (1992)
- H. Preier. Appl. Phys., 20, 189 (1979)
- Z. H. Dughaish. Physica B, 322, 205 (2002)
- H. Lee, H.C. Leventis, S.-J. Moon, P. Chen, S. Ito, S.A. Haque, T. Tores, F. Nuesch, T. Geiger, S.M. Zakeeruddin, M. Gratzel, Md.K. Nazeeruddin. Adv. Funct. Mater., 19, 2735 (2009)
- M. Casavola, M.A. van Huis, S. Bals, K. Lambert. Chem. Mater., 24, 294 (2012)
- H. Groiss, E. Kaufmann, G. Springholz, T. Schwarzl, G. Hesser, F. Schaffler, W. Heiss. Appl. Phys. Lett., 91, 222106 (2007)
- N.M. Ravindram, G. Preeti, C. Jinsoo. Inf. Phys. Technol., 50, 21 (2007)
- J. Tang, X. Wang, L. Brzozowski, D.A.R. Barkhouse. Adv. Mater. Weinheim, 22, 1398 (2010)
- J.M. Luther, M. Law, M.C. Beard, Q. Song. Nano Lett., 8, 3488 (2008)
- W. Ma, J.M. Luther, H. Zheng, Y. Wu, A.P. Alivisatos. Nano Lett., 9, 1699 (2009)
- S.W. Tsang, H. Fu, R. Wang, J. Lu, K. Yu, Y. Tao. Appl. Phys. Lett., 95, 183505 (2009)
- J.J. Choi, Y. Lim, M.B. Santiago-Berrios, M. Oh, B. Hyun, L. Sun. Nano Lett., 9, 3749 (2009)
- K.S. Leschkies, T.J. Beatty, M.S. Kang, D.J. Norris, E.S. Aydil. ACS Nano, 3, 3638 (2009)
- M. Leon, R. Serna, S. Levcenko, A. Nateprov, A. Nicorici, J.M. Merino, E. Arushanov. J. Appl. Phys., 101, 013524 (2007)
- M. Corana, C. Marchesi, Martini, S. Ridella. ACM Transactions on Mathematical Software, 13 (3), 262 (1987)
- М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972) с. 416
- T.R. Kumar, M. Vedamalai. Int. J. Pure Appl. Mathematics, 119 (12), 6665 (2018)
- P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, M. Cardona. Phys. Rev. B, 35, 9174 (1987)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка,1987) с. 608
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
