Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 6 » Статья стр. 580
<<<>>>
Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49389.9369
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060081
Калядин А.Е.1, Штельмах К.Ф.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Карабешкин К.В.1, Шек Е.И.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 февраля 2020 г.
Принята к печати: 17 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
PDF версия
С применением имплантации ионов кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7·1014 см-2 и последующего отжига в хлорсодержащей атмосфере при 700oС в течение 1 ч изготовлены кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов. Электролюминесценция исследована в широких диапазонах температуры и мощности накачки. Во всех спектрах доминирует линия (113) дефектов. Температурная зависимость интенсивности линии зависит от мощности накачки в области низких температур: при низких плотностях тока наблюдается возгорание интенсивности с энергией 25 мэВ, а с ростом тока увеличения интенсивности не наблюдается. При более высоких температурах происходит гашение интенсивности с энергией 59 мэВ независимо от плотности тока. С ростом температуры положение максимума линии (113) дефекта смещается на такую же энергию, как ширина запрещенной зоны, а полуширина линии растет линейно. Ключевые слова: (113) дефекты, кремний, светодиоды, электролюминесценция.
  1. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  2. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
  3. V. Kveder, V. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov. Phys. Status Solidi A, 202, 901 (2005)
  4. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50, 241 (2016)
  5. S. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L639 (1991)
  6. L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. In: Advances in Semiconductor Nanostructures, Growth, Characterization, Properties and Applications, ed by A. Latyshev, A. Dvurechenskii, A. Aseev (Elsevier, Amsterdam, 2016) p. 383
  7. L. Jeyanathan, E.C. Lightowlers, V. Higgs, G. Davies. Mater. Sci. Forum, 143-147, 1499 (1994)
  8. S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000)
  9. D.C. Schmidt, B.G. Svensson, M. Seibt, C. Jagadish, G. Davies. J. Appl. Phys., 88, 2309 (2000)
  10. Y. Yang, J. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 107, 123109 (2010)
  11. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, К.В. Карабешкин. ФТТ, 58, 2411 (2016)
  12. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах. ФТП, 51, 1182 (2017)
  13. N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017)
  14. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010)
  15. V. Alex, S. Finkbeiner, J. Weber. J. Appl. Phys., 79, 6943 (1996)
  16. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  17. Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  18. L. Xiang, D. Li, L. Jin, S. Wang, D. Yang. J. Appl. Phys., 113, 033518 (2013)
  19. G. Davies. Phys. Rep., 176, 83 (1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme