Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 493
<<<>>>
Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности
Web of Science® times cited — 0
Russian Foundation for Basic Research, 11-02-00573
Program for Support of Leading Scientific Schools, NSh-2901.2012.2
Безногов М.В.1,2, Сурис Р.А. 1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
PDF версия
Предложен единый подход к описанию баллистических токов монополярной инжекции для наноструктур разных размерностей. Показано, что в случаях трехмерных, двумерных и одномерных структур задача сводится к нелинейному интегральному уравнению с безразмерным параметром, который задает коэффициент в универсальной зависимости тока от напряжения. Доказано, что для каждой размерности существует максимально возможное значение этого параметра, которое является аналогом порога Бурсиана для вакуумного диода. Найдены вольт-амперные характеристики, распределения потенциала и концентрации инжектированных зарядов для трехмерных, двумерных и одномерных наноструктур.
  1. C.D. Child. Phys. Rev., 32, 492 (1911)
  2. I. Langmuir. Phys. Rev., 2, 450 (1913)
  3. Н. Мотт, Р. Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах (М., ИЛ, 1950) [Пер. с англ.: N. Mott, R. Gurney. Electronic Processes in Ionic Crystals (N. Y., 1940)]
  4. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) [Пер. с англ.: M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
  5. M. Lampert, F. Edelman. J. Appl. Phys., 35, 2971 (1964)
  6. W. Shockley, R. Prim. Phys. Rev., 90, 753 (1953)
  7. A. Grinberg, S. Luryi. J. Appl. Phys., 61, 1181 (1986)
  8. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18 (5), 769 (1984) [Sov. Phys. Semicond., 18, 481 (1984)]
  9. J. Geurst. Phys. Status Solidi, 15, 107 (1966)
  10. Y. Li, H. Wang, C. Liu, J. Sun. Appl. Surf. Sci., 251, 19 (2005)
  11. A. Rokhlenko, J.L. Lebowitz. Phys. Rev. Lett., 91 (8), 085 002 (2003)
  12. A. Grinberg, S. Luryi, M. Pinto, N. Schryer. IEEE Trans. Electron Dev., 36, 1162 (1989)
  13. W. Chandra, L.K. Ang, W. S. Koh. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 055 504 (2009)
  14. A. Talin, F. Leonard, B. Swartzentruber, X. Wang, S. Hersee, Phys. Rev. Lett., 101, 076 802 (2008)
  15. A. Haque, A. Khondker. J. Appl. Phys., 87, 2553 (2000)
  16. B. Shchamkhalova, V. Sablikov. Physica E, 27, 51 (2005)
  17. В.Р. Бурсиан, В.И. Павлов. Журн. русск. физ.-хим. общества, 55, 71 (1923)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme