Вышедшие номера
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Переводная версия: 10.1134/S1063782620070088
Российский научный фонд, 19-79-10024
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-08-00108
Лунин Л.С. 1, Лунина М.Л. 1, Алфимова Д.Л. 1, Пащенко А.С. 1, Пащенко О.С. 1, Богатов Н.М. 2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

Обсуждается выращивание твердых растворов AlGaInSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. Проведен расчет параметров и исследованы люминесцентные свойства и спектральные характеристики твердых растворов AlGaInSbAs, изопериодных подложкам InAs. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Al-Ga-In-Sb-As. Выявлены области термодинамической устойчивости к спинодальному распаду твердых растворов AlGaInSbAs и интервалы изопериодичности к подложке InAs. Ключевые слова: твердые растворы AlGaInSbAs, термодинамические и кристаллохимические параметры, фазовые равновесия, ширина запрещенной зоны, спектральная характеристика, спектр фотолюминесценции.