Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2-2.3 мкм)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), №18-52-00027 Бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф18Р-121
Куницына Е.В.
1, Ройз М.А.2, Андреев И.А.1, Гребенщикова Е.А.
1, Пивоварова А.А.1, Ahmetoglu (Afrailov) M.3, Лебедок Е.В.4, Микулич Р.Ю.4, Ильинская Н.Д.
1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Helsinki, Helsinki 00014, Finland
3Department of Physics, Uludag University, 16059 Görukle, Bursa, Turkey
4ГНПО "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Email: kunits@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 28 февраля 2020 г.
Принята к печати: 28 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
Фотодиоды, созданные на основе твердых растворов в системе GaSb-InAs, были впервые применены для исследования спектральных характеристик одиночных и сдвоенных дисковых WGM-лазеров, излучающих на модах шепчущей галереи в диапазоне 2.2-2.3 мкм. Емкость фотодиодов при диаметре фоточувствительной площадки 2.0 мм составляет C=520 пФ при U=-2 В, что соответствует постоянной времени tau=53 нс. Показано, что параметры созданных фотодиодов позволяют регистрировать излучение квантово-размерных дисковых лазеров при комнатной температуре и не использовать криогенное охлаждение. Ключевые слова: фотодиоды, GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb-гетероструктуры, квантово-размерные дисковые лазеры, WGM-моды.
- А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, М.А. Сиповская, А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, А.М. Монахов, К.В. Калинина, G. Boissier, R. Teissier, А.Н. Баранов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 35 (18), 50 (2009)
- A.N. Baranov, G. Boissier, R. Teissier, A.M. Monakhov, V.V. Sherstnev, M.I. Larchenkov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 100, 061112 (2012)
- В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус. Прикл. физика, 6, 66 (2001)
- Р.Д. Мухамедьяров, И.Н. Мирошникова. http://uralsemiconductor.ru / articles / Doklad\_Kongress-2017\_ Ural\_fotodetektory\_r25.04--21.20%20.pdf
- А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, А.В. Гусельников, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Пожаровзрывобезопасность, 2, 14 (2008)
- H. Tang, J. Zhong, W. Chen, K. Shi, G. Mei, Y. Zhang, Z. Wen, P. Muller--Buschbaum, D. Wu, K. Wang, X. Sun. ACS Appl. Nano Mater., 2 (10), 6135 (2019)
- M. Thambidurai, Y. Jang, A. Shapiro, G. Yuan, H. Xiaonan, Y. Xuechao, Q.J. Wang, E. Lifshitz, H.V. Demir, C. Dang. Optical Mater. Express, 7 (7), I 2326 (2017)
- L. Hu, S. Huang, R. Patterson, J. Halpert. J. Mater. Chem. C, 7, 4497 (2019)
- B.W. Jia, K.H. Tan, W.K. Loke, S. Wicaksono, K.H. Lee, S.F. Yoon. ACS Photonics, 5 (4), 1512 (2018)
- M. Razeghi. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 23 (3), 149 (2003)
- C. Kuo, J. Wu, S. Lin, W. Chang. Nanoscale Res. Lett., 8, 327 (2013)
- P. Martyniuk, A. Rogalski. Opto-Electronics Rev., 21 (2), 239 (2013)
- C. Shi, Y. Dong, Q. Li. IEEE Trans. Electron Dev., 66 (3), 1361 (2019)
- E.G. Camargo, S. Tokuo, H. Goto, N. Kuze. Sensors Mater., 26 (4), 253 (2014)
- D.A. Yarekha, G. Glastre, A. Perona, Y. Rouillard, F. Genty, E.M. Skouri, G. Boissier, P. Grech, A. Joullie, C. Alibert, A.N. Baranov. Electron. Lett., 36 (6), 537 (2000)
- У. Шокли. УФН, 77 (1), 161 (1962)
- Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35 (8), 941 (2001)
- И.М. Викулин, Б.В. Коробицын, С.К. Криськив. ФТП, 50 (9), 1238 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.