Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур alpha-Si/SiO2 и alpha-Ge/SiO2 на подложках p-Si, отожженных при разных температурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100292 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: alvershov@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2020 г.
Принята к печати: 25 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Исследованы свойства многослойных наноструктур alpha-Si(Ge)/SiO2, осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой-подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой-подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, нанокристаллы полупроводника в диэлектрической матрице, нанослой, эффективность фототока.
- B.T. Sullivan, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, Z.-H. Lu. Appl. Phys. Lett., 69 (21), 3149 (1996)
- F. Priolo, T. Gregorkiewicz, T. Galli, T.F. Krauss. Nature Nanotechnology, 9, 19 (2014)
- O.S. Ken, D.A. Yavsin, P.A. Dementev, S.A. Gurevich, O.M. Sreseli. Phys. Status Solidi A, 213, 2906 (2016)
- А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум, А.И. Машин, Д.А. Павлов, А.В. Нежданов, А.И. Бобров, Д.А. Грачев. ФТП, 47 (4), 460 (2013)
- S. Cosentino, S. Mirabella, M. Miritello, G. Nicotra, R. Lo Savio, F. Simone, C. Spinella, A. Terrasi. Nanoscale Res. Lett., 6, 135 (2011)
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум, И.А. Чугров, А.И. Машин, А.Н. Михайлов, А.В. Нежданов, А.А. Ершов, И.А. Карабанова. ФТП, 45 (6), 747 (2011)
- О.С. Кен, Д.А. Андроников, Д.А. Явсин, А.В. Кукин, С.Н. Данилов, А.Н. Смирнов, О.М. Сресели, С.А. Гуревич. ФТП, 48 (11), 1555 (2014)
- О.М. Сресели, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, А.И. Лихачев, И.Н. Яссиевич, А.В. Ершов, А.В. Нежданов, А.И. Машин, Б.А. Андреев, А.Н. Яблонский. ФТП, 54 (2), 129 (2020)
- R. Zhang, X.Y. Chen, J.J. Lu, W.Z. Shen. J. App. Phys., 102, 123708 (2007)
- А.В. Ершов, Д.А. Павлов, Д.А. Грачев, А.И. Бобров, И.А. Карабанова, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 48 (1), 44 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
