Вышедшие номера
Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди
Комолов А.С.1, Лазнева Э.Ф.1, Пшеничнюк С.А.2, Гавриков А.А.1, Чепилко Н.С.1, Томилов А.А.1, Герасимова Н.Б.1, Лезов А.А.1, Репин П.С.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F16-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F16-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F16-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F16-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F16-CuPc/СuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0.7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F16-CuPc.