Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S_3)x(AgIn5S_8)1-x
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120039 
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 15 августа 2020 г.
Принята к печати: 15 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In2S3, AgIn5S8 и твердых растворов (In2S_3)x(AgIn5S_8)1-x, определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной (Eg) для указанных монокристаллов. Показано, что Eg с составом х изменяется с отклонением от линейности. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, твердые растворы, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Cкуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- K. Ramanatham, M.A. Contreras, C.L. Parkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, G. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 11, 225 (2003)
- F. Kessler, D. Gerrman, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480--481, 491 (2005)
- И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37, 1346 (2003)
- И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 1043 (1998)
- B. Asenjo, A.M. Charro, M.T. Gutierrez, J. Gererro, C. Maffiotte. Thin Sol. Films, 480--481, 151 (2005)
- T. Schulmeyer, A. Klein, R Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85, 961 (2005)
- J. Sterner, J. Malstrom, L. Stolt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 179 (2005)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, Изд-во ВГУ, 1989)
- Р. Уиллардсон. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
- В.А. Полубок. Докл. БГУИР, 6, 58 (2008)
- C. Paoricci, L Zanotti, N. Romeo, G Sberveglieri, L. Tarricone. Mater. Res. Bull., 12, 1207 (1977)
- M. Isik, N. Gasanly. Physica B, 478, 127 (2015)
- A. Usujima, S. Takeuchi, S. Endo, T. Irie. Jpn. J. Apll. Phys., 20, L.505 (1981)
- J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
- R. Hill. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7, 521 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
