Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO₂

DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50388.9464

Переводная версия: 10.1134/S1063782621010188

Тысченко И.Е.¹, Чжан Ж.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: tys@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 4 июня 2020 г.

В окончательной редакции: 7 сентября 2020 г.

Принята к печати: 18 сентября 2020 г.

Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

PDF версия

Интерес к созданию и изучению нанокристаллов InSb на основе кремния обусловлен необходимостью создания гибридных интегральных схем, объединяющих в себе элементы с различными функциональными свойствами. Локализация оптических фононов в кристаллах с пониженной размерностью может оказывать влияние как на оптические, так и на электрические свойства этих кристаллов. В данной работе проведен сравнительный анализ свойств оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в решетке Si, а также в нанокристаллах InSb в пленках SiO₂, созданных методами ионно-лучевого синтеза и радиочастотного магнетронного распыления. Свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb объяснены с точки зрения влияния структурных свойств окружающей матрицы. Ключевые слова: InSb, кремний, оксид кремния, нанокристаллы, синтез.

H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98, 113105 (2011)
K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014).
C. Hilsum, A.C. Rose-Innes. Semiconducting III-V compounds, ed. by H.R. Henisch (Oxford-London-N.Y.-Paris, Pergamon Press, 1961) p. 254
R. Prasher, D. Dass, R. Vaid. J. Nano-Electron. Phys., 5, 01017 (2013)
N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
F.F. Komarov, O.V. Mil'chanin, L.A. Vlasukova, W. Wesch, A.F. Komarov, A.V. Mudryi. Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 74, 252 (2010)
S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
F. Komarov, L. Vlasukova, M. Greben, O. Milchanin, J. Zuk, W. Wesch, E. Wendler, A. Togambaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 307, 102 (2013)
F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B, 178, 1169 (2013)
F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, M. Greben, I. Parkhomenko, A.V. Mudryi, E. Wendler, P. Zhukowski. Acta Phys. Polon. A, 125, 1288 (2014)
F.F. Komarov, I.A. Romanov, L.A. Vlasukova, O.V. Milchanin, I.N. Parkhomenko, T.B. Kovaleva, O.V. Korolik, A.V. Mudryi, E. Wendler. J. Appl. Spectrosc., 83, 959 (2017)
I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, V.P. Popov. Solid State Phenomena, 131-133, 137 (2008)
I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 267, 1360 (2009)
И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V.P. Popov. J. Luminesc., 204, 656 (2018)
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов. ФТП, 53, 502 (2019)
K. Zhu, J. Shi, Y. Wei, L. Zhang, Chin. Sci. Bull., 43, 1610 (1998)
D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075341 (2005)
B. Capoen, V.Q. Lam, S. Turrel, L.P. Vilcot, F. Beclin, Y. Jestin, M. Bouazaoui. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1819 (2005)
K.G. Zhu, Y. Shaoqing, J.Z. Shi. Chin. Phys. Lett., 186, 779 (2001)
D. Li, H. Li, H. Sun, L. Zhao. Nanoscale Res. Lett., 6, 601 (2011)
S. Solmi, A. Parisini. J. Appl. Phys., 92, 1361 (2002)
R.W. Olesinski, G.J. Abbaschian. Bull. All. Phase Diagr., 6, 445 (1985)
R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 2507 (1971)
R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 397 (1971)
P. Madakson, E. Ganin, J. Karasinski. J. Appl. Phys., 67, 4053 (1990)
S.Yi. Shiryaev, A.N. Larsen, M. Deicher. J. Appl. Phys., 72, 410 (1992)
A. Roy, M. Komatsu, K. Matsushi, S. Onari. J. Phys. Chem. Solids, 58, 741 (1997)
K. Aoki, E. Anastassakis, M. Cardona. Phys. Rev. B, 30, 681 (1984)
J. Haisma, J.A. Pistorius, D. Mateika. J. Cryst. Growth., 102, 979 (1990)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Патент РФ N 2217842. Бюл. N 33, 27.11.2003
I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
V.A. Volodin, V.A. Sachkov. J. Exp. Theor. Phys., 116, 87 (2013)
R. Ruppin, R. Englman. Rep. Progr. Phys., 33, 149 (1970)
M.I. Vasilevskiy, A.G. Rolo, M.V. Artemyev, S.A. Filonovich, M.J.M. Gomes, Yu.P. Rakovich. Phys. Status Solidi B, 224, 599 (2001)
W.K. Choi, C.K. Choo, K.K. Han, J.H. Chen, F.C. Loh, K.L. Tan. J. Appl. Phys., 83, 2308 (1998)
Selected powder diffraction data for minerals, ed. by L.G. Berry (Data book. Swarthmore, Pennsylvania, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, 1974) p. 833.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель