Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 1 » Статья стр. 59
<<<>>>
Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO2
DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50388.9464
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010188
Тысченко И.Е.1, Чжан Ж.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 7 сентября 2020 г.
Принята к печати: 18 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
PDF версия
Интерес к созданию и изучению нанокристаллов InSb на основе кремния обусловлен необходимостью создания гибридных интегральных схем, объединяющих в себе элементы с различными функциональными свойствами. Локализация оптических фононов в кристаллах с пониженной размерностью может оказывать влияние как на оптические, так и на электрические свойства этих кристаллов. В данной работе проведен сравнительный анализ свойств оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в решетке Si, а также в нанокристаллах InSb в пленках SiO2, созданных методами ионно-лучевого синтеза и радиочастотного магнетронного распыления. Свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb объяснены с точки зрения влияния структурных свойств окружающей матрицы. Ключевые слова: InSb, кремний, оксид кремния, нанокристаллы, синтез.
  1. H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
  2. A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98, 113105 (2011)
  3. K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
  4. S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014).
  5. C. Hilsum, A.C. Rose-Innes. Semiconducting III-V compounds, ed. by H.R. Henisch (Oxford-London-N.Y.-Paris, Pergamon Press, 1961) p. 254
  6. R. Prasher, D. Dass, R. Vaid. J. Nano-Electron. Phys., 5, 01017 (2013)
  7. N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
  8. F.F. Komarov, O.V. Mil'chanin, L.A. Vlasukova, W. Wesch, A.F. Komarov, A.V. Mudryi. Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 74, 252 (2010)
  9. S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
  10. F. Komarov, L. Vlasukova, M. Greben, O. Milchanin, J. Zuk, W. Wesch, E. Wendler, A. Togambaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 307, 102 (2013)
  11. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B, 178, 1169 (2013)
  12. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, M. Greben, I. Parkhomenko, A.V. Mudryi, E. Wendler, P. Zhukowski. Acta Phys. Polon. A, 125, 1288 (2014)
  13. F.F. Komarov, I.A. Romanov, L.A. Vlasukova, O.V. Milchanin, I.N. Parkhomenko, T.B. Kovaleva, O.V. Korolik, A.V. Mudryi, E. Wendler. J. Appl. Spectrosc., 83, 959 (2017)
  14. I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, V.P. Popov. Solid State Phenomena, 131-133, 137 (2008)
  15. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 267, 1360 (2009)
  16. И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
  17. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V.P. Popov. J. Luminesc., 204, 656 (2018)
  18. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов. ФТП, 53, 502 (2019)
  19. K. Zhu, J. Shi, Y. Wei, L. Zhang, Chin. Sci. Bull., 43, 1610 (1998)
  20. D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075341 (2005)
  21. B. Capoen, V.Q. Lam, S. Turrel, L.P. Vilcot, F. Beclin, Y. Jestin, M. Bouazaoui. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1819 (2005)
  22. K.G. Zhu, Y. Shaoqing, J.Z. Shi. Chin. Phys. Lett., 186, 779 (2001)
  23. D. Li, H. Li, H. Sun, L. Zhao. Nanoscale Res. Lett., 6, 601 (2011)
  24. S. Solmi, A. Parisini. J. Appl. Phys., 92, 1361 (2002)
  25. R.W. Olesinski, G.J. Abbaschian. Bull. All. Phase Diagr., 6, 445 (1985)
  26. R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 2507 (1971)
  27. R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 397 (1971)
  28. P. Madakson, E. Ganin, J. Karasinski. J. Appl. Phys., 67, 4053 (1990)
  29. S.Yi. Shiryaev, A.N. Larsen, M. Deicher. J. Appl. Phys., 72, 410 (1992)
  30. A. Roy, M. Komatsu, K. Matsushi, S. Onari. J. Phys. Chem. Solids, 58, 741 (1997)
  31. K. Aoki, E. Anastassakis, M. Cardona. Phys. Rev. B, 30, 681 (1984)
  32. J. Haisma, J.A. Pistorius, D. Mateika. J. Cryst. Growth., 102, 979 (1990)
  33. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
  34. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
  35. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
  36. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
  37. В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Патент РФ N 2217842. Бюл. N 33, 27.11.2003
  38. I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  39. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  40. V.A. Volodin, V.A. Sachkov. J. Exp. Theor. Phys., 116, 87 (2013)
  41. R. Ruppin, R. Englman. Rep. Progr. Phys., 33, 149 (1970)
  42. M.I. Vasilevskiy, A.G. Rolo, M.V. Artemyev, S.A. Filonovich, M.J.M. Gomes, Yu.P. Rakovich. Phys. Status Solidi B, 224, 599 (2001)
  43. W.K. Choi, C.K. Choo, K.K. Han, J.H. Chen, F.C. Loh, K.L. Tan. J. Appl. Phys., 83, 2308 (1998)
  44. Selected powder diffraction data for minerals, ed. by L.G. Berry (Data book. Swarthmore, Pennsylvania, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, 1974) p. 833.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme