Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Шамахов В.В.1, Бахвалов К.В.1, Васильева В.В.1, Вавилова Л.С.1, Растегаева М.Г.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры AlGaAsP/GaAs как без компенсации, так и с компенсацией внутренних механических напряжений путем введения в различные слои гетероструктуры фосфора, изменяющего параметр решетки слоя и тем самым влияющего на величину внутренних напряжений во всей лазерной гетероструктуре. Из структур изготовлены многомодовые мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм, и исследованы их свойства. Показано, что структуры с компенсацией внутренних механических напряжений обладают линейностью ватт-амперной характеристики вплоть до токов накачки, соответствующих максимальной выходной мощности. Также структуры с компенсацией внутренних механических напряжений имеют более высокие значения характеристических температур T0 и T1 по сравнению со структурой без компенсации внутренних механических напряжений.
- K. Shighara, Y. Nagai, S. Karadida, A. Takami, Y. Kokubo, H. Matsubara, S. Kakimoto. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1537 (1991)
- А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
- М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль, А.А. Мармалюк, В.А. Петровский. Тез. докл. III Росс. симп. Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., Россия, 2012) с. 17
- А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 42 (1), 15 (2012)
- N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (6), 603 (2000)
- W.E. Plano, J.S. Major, D.F. Welch. IEEE Photon. Technol. Lett., 6 (4), 465 (1994)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (10), 1344 (2012)
- Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
