Вышедшие номера
Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020056
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 30 августа 2020 г.
Принята к печати: 9 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Сравниваются измеренные в реальном времени огибающие мощной пикосекундной оптической накачки и собственного стимулированного пикосекундного излучения тонкого слоя GaAs. Объяснение превышения длительности излучения над длительностью накачки базируется на отрицательной обратной связи между интенсивностью излучения и разогревом носителей этим излучением. Главным параметром указанного превышения длительности является характерное время охлаждения носителей заряда, замедляемое из-за разогрева носителей излучением. Отмечается влияние этого времени и на перенормировку запрещенной зоны из-за кулоновского взаимодействия носителей. Та часть представления о пикосекундной динамике интенсивного стимулированного излучения GaAs, которая получена к настоящему моменту в наших с соавторами работах, дана в Заключении. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, длительность пикосекундного излучения, разогрев носителей заряда излучением, время охлаждения носителей заряда, энергетический транспорт носителей заряда, перенормировка запрещенной зоны, пикосекундная динамика излучения.